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Phototransistor IGBT H11 seriesde commutationSMDen GaAs
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de commutation
- Autres caractéristiques
- en silicium, SMD, en GaAs
- Courant
50,5 A, 60 A, 75 A
- Tension
Max: 300 V
Min: 32 V
Description
Optocoupleur, sortie phototransistor, avec connexion de base, tension BVCEO élevée
CARACTÉRISTIQUES
Tension de claquage très élevée de l'émetteur du collecteur BVCEO
Tension d'essai d'isolement : 5000 VRMS
Faible capacité de couplage
APPLICATIONS
Télécommunications
Contrôles industriels
Équipement alimenté par batterie
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