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Phototransistor IGBT H11 series
de commutationSMDen GaAs

Phototransistor IGBT - H11 series - VISHAY - de commutation / SMD / en GaAs
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de commutation
Autres caractéristiques
en silicium, SMD, en GaAs
Courant

50,5 A, 60 A, 75 A

Tension

Min: 32 V

Max: 300 V

Description

Optocoupleur, sortie phototransistor, avec connexion de base, tension BVCEO élevée CARACTÉRISTIQUES Tension de claquage très élevée de l'émetteur du collecteur BVCEO Tension d'essai d'isolement : 5000 VRMS Faible capacité de couplage APPLICATIONS Télécommunications Contrôles industriels Équipement alimenté par batterie

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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