MOSFET non spécifié SIR5402DP

Présentation
MOSFET canal N 40 V (D-S) en technologie TrenchFET® Gen IV conçu pour des applications de commutation de puissance et d'onduleurs.

Caractéristiques principales

• TrenchFET® Gen IV niveau standard
• Conception High Vth pour réduire le bruit et améliorer la stabilité de la grille
• Rapport Qgd / Qgs optimisé pour une commutation efficace

Documentation

• Fiche technique — MOSFET canal N 40 V (D-S) (SIR5402DP)
• Informations de marquage — détails de marquage pour les variantes PowerPAK® et PowerPAIR®
• PAD Pattern — recommandations de pads minimaux pour PowerPAK® SO-8 Single
• Note d'application AN821 — montage et considérations thermiques pour PowerPAK® SO-8
• Informations sur les bobines — données d'emballage en bobine (reel)
• Informations sur le ruban — spécifications de ruban pour PowerPAK® SOIC-8
• Informations de boîtier — dessins et détails pour PowerPAK® SO-8 (Simple/Dual)
• Fiabilité du boîtier — données d'essais environnementaux et de boîtier pour le process de soudure PowerPAK® SO-8
• Fiabilité produit — données de fiabilité du procédé 530MC SG
• Guide de sélection — MOSFET pour solutions d'alimentation de serveurs IA

Remarques supplémentaires

• Modèles ECAD disponibles au téléchargement (Ultra Librarian)
• Liens Acheter / Demander un échantillon disponibles sur la page produit

Caractéristiques / spécifications techniques

• Modèle : SIR5402DP
• Type de dispositif : MOSFET canal N
• Tension drain-source (VDS) : 40 V (D-S)
• Technologie : TrenchFET® Gen IV (niveau standard)
• Points de conception : High Vth pour réduire le bruit ; rapport Qgd / Qgs optimisé
• Options de boîtier : PowerPAK® SO-8 et plusieurs variantes PowerPAK® / PowerPAIR® (voir documentation de boîtier)
• Documents fournis typiquement : fiche technique, marquage, recommandations PAD/landpattern, note d'application montage/thermique, informations reel/tape, dessins de boîtier, données de fiabilité, guide de sélection
• Référence page produit Vishay : 61684