Ce nouveau transistor MOSFET de génération a été conçu pour réduire au minimum la résistance d'onstate (RDS (dessus)) mais maintenez l'exécution supérieure de commutation, le rendant idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.
Dispositifs et avantages
Bas RDS (DESSUS) s'assure sur des pertes d'état est réduit au minimum
profil de 0.4mm idéal pour des applications de profil bas
Empreinte de pas de carte de 4mm2
Basse capacité d'entrée
Porte protégée par ESD
Plomb, halogène, et antimoine librement, RoHS conforme
Dispositif de « vert »
Qualifié aux normes AEC-Q101 pour la fiabilité élevée
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