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Tension: 60 V
... Transistor NPN en silicium épitaxié Applications Ce produit est d'usage général et convient à de nombreuses applications différentes. ...
Onsemi
Courant: 15 A
Tension: 60 V - 120 V
... Le transistor bipolaire de puissance est conçu pour les applications audio de forte puissance, les moteurs pas à pas et autres applications linéaires. Il peut également être utilisé dans des circuits de commutation de ...
Onsemi
Courant: 15 A
Tension: 60 V - 120 V
... Le transistor bipolaire de puissance est conçu pour les applications audio de forte puissance, les moteurs pas à pas et autres applications linéaires. Il peut également être utilisé dans des circuits de commutation de ...
Onsemi
Courant: 10 A
Tension: 100 V
... Le transistor bipolaire de puissance est conçu pour les applications d'amplification et de commutation à usage général, où la surface de montage du dispositif doit être isolée électriquement du dissipateur thermique ou ...
Onsemi
Courant: 800 A
Tension: 1 200 V
... Le NXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet ...
Onsemi
Courant: 800 A
Tension: 1 200 V
... Le SNXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet ...
Onsemi
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 30 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le procédé avancé PowerMESH, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...
Diodes Incorporated
Tension: 11 V
... 3.Gain unitaire de 2 GHz pour les applications de commutation RF - Totalement sans plomb et entièrement conforme RoHS (Notes 1 & 2) - Sans halogène et sans antimoine. Dispositif " vert " (Note 3) - Qualifié selon les normes AEC-Q101 pour ...
Diodes Incorporated
Tension: 50, 60, 7 V
... Le CMKT3920 de Central Semiconductor (deux transistors NPN simples) est une combinaison double dans un boîtier SOT-363 ULTRAmini™ peu encombrant, conçu pour les applications d'amplification et de commutation à usage général ...
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