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Transistor IGBT STGW30NC60KDde commutation
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de commutation
- Courant
30 A
- Tension
600 V
Description
Cet IGBT utilise le procédé avancé PowerMESH, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant.
Toutes les caractéristiques
Faible chute de tension à l'état passant (VCE(sat))
Durée de résistance aux courts-circuits de 10 μs
Faible rapport Cres / Cies (pas de susceptibilité à la conduction croisée)
IGBT co-packagé avec une diode de roue libre ultra rapide
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Catalogues
STGW30NC60KD
14 Pages
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.