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Transistor IGBT STGW30NC60KDde commutation
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de commutation
- Courant
30 A
- Tension
600 V
Description
Cet IGBT utilise le procédé avancé PowerMESH, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant.
Toutes les caractéristiques
Faible chute de tension à l'état passant (VCE(sat))
Durée de résistance aux courts-circuits de 10 μs
Faible rapport Cres / Cies (pas de susceptibilité à la conduction croisée)
IGBT co-packagé avec une diode de roue libre ultra rapide
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Catalogues
STGW30NC60KD
14 Pages
Salons
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