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Transistor IGBT STGW30NC60KD
de commutation

Transistor IGBT - STGW30NC60KD - STMicroelectronics - de commutation
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de commutation
Courant

30 A

Tension

600 V

Description

Cet IGBT utilise le procédé avancé PowerMESH, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute de tension à l'état passant (VCE(sat)) Durée de résistance aux courts-circuits de 10 μs Faible rapport Cres / Cies (pas de susceptibilité à la conduction croisée) IGBT co-packagé avec une diode de roue libre ultra rapide

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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STGW30NC60KD
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14 Pages

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