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Transistor IGBT STGD8NC60KDde commutation
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de commutation
- Courant
8 A
- Tension
600 V
Description
Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant.
Toutes les caractéristiques
Faible chute de tension à l'état passant (VCE(sat))
Diode antiparallèle à récupération très douce et très rapide
Rapport CRES / CIES inférieur (pas de susceptibilité de conduction croisée)
Temps de résistance au court-circuit de 10µs
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.