Cette prise est conçue pour des performances élevées, pour les dispositifs semi-conducteurs individuels tels que les transistors de puissance et les thyristors.
Il supporte les environnements à courant élevé, à haute tension et à haute température.
L'embase est compatible avec les boîtiers tels que TO-247, TO-3P, TO-264, TO-247 4L et TO-220.
Des radiateurs ou des dissipateurs de chaleur peuvent être montés sur la languette arrière du dispositif, ce qui le rend adapté à la caractérisation thermique du dispositif.
- Courant élevé : DC30A à 25°C
(La valeur du courant est basée sur des conditions où la languette arrière de l'appareil n'est pas utilisée)
---