Détecteur photovoltaique infrarouge P17442-011MS

InAsSb

Aperçu
Le P17442-011MS est un détecteur photovoltaïque infrarouge InAsSb optimisé pour une sensibilité jusqu'à la bande spectrale 5 µm. La sensibilité est améliorée par une croissance cristalline et un procédé spécialisé ainsi qu'une structure à illumination arrière, offrant un meilleur coefficient de sensibilité en fonction de la température par rapport aux types à illumination avant. La surface photosensible est agrandie par rapport aux séries P16112/P16612 pour augmenter le signal de sortie. Le produit est conforme RoHS (sans plomb, mercure ni cadmium).

Positionnement clé
Détecteur IR mono-élément à haute sensibilité et réponse rapide (jusqu'à 5 µm). Surface photosensible augmentée pour un signal de sortie supérieur par rapport aux séries précédentes.

Caractéristiques

• Haute sensibilité dans la bande infrarouge moyenne
• Temps de réponse rapide adapté aux détections à grande vitesse
• Conforme RoHS (sans plomb, mercure, cadmium)

Remarques importantes sur le produit

• Structure à illumination arrière améliorant le coefficient de sensibilité en fonction de la température.
• Surface photosensible agrandie vs. séries P16112/P16612 pour un signal de sortie plus élevé.
• Construction respectueuse de l'environnement : pas de plomb, mercure ni cadmium.

Points spectrals / performances

• Longueur d'onde de sensibilité maximale typique : 4.1 µm
• Longueur d'onde de coupure typique : 5.3 µm

Spécifications techniques

• Nombre d'éléments : 1
• Surface photosensible : 1 × 1 mm
• Boîtier : Métal
• Catégorie de boîtier : TO-5
• Refroidissement : Non refroidi
• Longueur d'onde de sensibilité maximale (typ.) : 4.1 µm
• Longueur d'onde de coupure (typ.) : 5.3 µm
• Photosensibilité (typ.) : 65 mA/W
• Detectivité D* (typ.) : 1.0 × 10^9 cm·Hz^1/2/W
• Puissance équivalente de bruit (typ.) : 1.0 × 10^-10 W/Hz^1/2
• Temps de montée (typ.) : 15 ns
• Capacité terminale (typ.) : 100 pF
• Condition de mesure : Ta = 25 °C, Detectivité D* : λ = λp, fc = 1200 Hz, Δf = 1 Hz