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Photodiode silicium S16008
infrarouge

Photodiode silicium - S16008  - HAMAMATSU - infrarouge
Photodiode silicium - S16008  - HAMAMATSU - infrarouge
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Caractéristiques

Spécifications
silicium, infrarouge

Description

La série S16008 est une photodiode de type Si à montage en surface qui présente une sensibilité élevée dans le domaine du visible et du proche infrarouge. Elle offre une sensibilité plus élevée que la série précédente S2387. Caractéristiques - Haute sensibilité dans le visible et le proche infrarouge - Faible courant d'obscurité - Linéarité supérieure - Compatible avec la refusion de soudure sans plomb Caractéristiques techniques Surface photosensible - 5,8 × 5,8 mm Boîtier - Verre époxy Catégorie de boîtier - Type de montage en surface Refroidissement - Non refroidi Plage de réponse spectrale - 380 à 1100 nm Longueur d'onde de sensibilité maximale (typ.) - 960 nm Photosensibilité (typ.) - 0,64 A/W Courant d'obscurité (max.) - 50 pA Temps de montée (typ.) - 9,0 μs Capacité terminale (typ.) - 4000 pF Puissance équivalente de bruit (typ.) - 2,0×10-15 W/Hz1/2 Conditions de mesure - Ta=25 ℃, typ., photosensibilité : λ=λp, courant d'obscurité : VR=10 mV, Temps de montée : VR=0 V, RL=1 kΩ, 10 à 90%, Capacité terminale : VR=0 V, f=10 kHz, Puissance équivalente au bruit : VR=0 V, λ=λp, sauf indication contraire

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