Transistors bipolaires ROHM Semiconductor

Courant: 20 A
Tension: 650 V

... Perte de commutation réduite, permettant une commutation à grande vitesse (boîtier à 2 broches) Qualifié AEC-Q101 Temps de récupération plus court Possibilité de commutation à grande vitesse Dépendance réduite à la température ...

Courant: 50 A
Tension: 650 V

... RGWS00TS65D est un IGBT à faible tension de saturation collecteur-émetteur, adapté aux PFC, aux convertisseurs solaires, aux convertisseurs à fréquence de commutation moyenne à élevée. La série RGWS se caractérise par ...

Courant: 50 A
Tension: 650 V

... La série RGWxx65C est un IGBT 650V avec une diode à barrière schottky SiC intégrée, qui réduit la perte de commutation à la mise sous tension. Il s'agit d'un produit conforme à la norme AEC-Q101. Il peut être utilisé ...

Courant: 40 A
Tension: 1 200 V

... RGS80TSX2DHR est un IGBT très fiable pour l'onduleur général pour l'automobile et l'industrie. Faible tension de saturation collecteur-émetteur Temps de résistance aux courts-circuits 10μs Qualifié selon AEC-Q101 Récupération ...

Courant: 30 A
Tension: 400 V

... RGPR30BM40 est un IGBT d'allumage avec une faible tension de saturation collecteur-émetteur, adapté aux circuits de commande de bobine d'allumage, aux circuits de commande de solénoïde. C'est un produit très fiable pour ...

Courant: 40 A
Tension: 650 V

... Les produits IGBT de ROHM contribueront aux économies d'énergie à haut rendement et à une large gamme d'applications à haute tension et à courant élevé. Faible tension de saturation collecteur-émetteur Temps de résistance ...