Substrat céramique

en nitrure d'aluminiumen couches mincesà couche épaisse

Aperçu
À l'ère actuelle de l'explosion de la puissance de calcul liée à l'IA, des évolutions 5G et de la transition des véhicules électriques vers des plateformes 800V, la dissipation thermique et la fiabilité de l'emballage sont devenues des goulots d'étranglement clés limitant les performances des systèmes. Les substrats céramiques en nitrure d'aluminium, grâce à leur conductivité thermique élevée, leur excellente isolation et un coefficient de dilatation thermique (CTE) très proche de celui des matériaux semi‑conducteurs, sont utilisés pour les modules optiques haute vitesse, les dispositifs RF et les semi‑conducteurs de puissance.

Points forts du produit
INNOVACERA fournit des substrats AlN rectifiés de précision avec une planéité de surface extrême, compatibles avec divers procédés de métallisation tels que DPC (Direct Plated Copper) et AMB (Active Metal Brazing) pour garantir un fonctionnement stable en environnements exigeants.

Avantages
Caractéristique — Valeur technique
Conductivité thermique ultra‑élevée — Conductivité thermique de 170–230 W/m·K, soit 7–10 fois celle des céramiques à base d'alumine, résolvant les enjeux de dissipation thermique à la source.
CTE apparié — CTE d'environ 4,5 ppm/°C, très proche de celui du silicium (Si) et du nitrure de gallium (GaN), réduisant significativement les contraintes thermiques et prolongeant la durée de vie de l'emballage.
Isolation électrique supérieure — Forte résistivité volumique et tenue diélectrique, assurant la sécurité électrique et l'intégrité du signal en environnements haute tension et haute fréquence.
Technologie de surface avancée — Rugosité typique Ra ≤ 0,5 μm garantissant précision et rendement pour le montage de puces et la réalisation d'interconnexions complexes.

Spécifications & choix
Nous proposons trois spécifications standard d'une épaisseur de 1,0 mm ; personnalisation possible.
Modèle | Dimensions (L×l) | Applications recommandées | Conseil de sélection
Modèle A | 37 × 26 mm | Modules IGBT, OBC automobile, grands modules optiques | Offre une plus grande surface de refroidissement effective, adapté aux emballages haute puissance et complexes.
Modèle B | 35 × 22 mm | Modules optiques 800G/1.6T, amplificateurs RF (PA) | Spécification marché principale, bon compromis performance/coût avec une chaîne d'approvisionnement mature.
Modèle C | 25 × 20 mm | LED automobiles, éclairage industriel, sous‑modules de petite taille | Très rentable, idéal pour les scénarios à contrainte d'encombrement ou sensibles au coût.

Applications

• Modules optiques haute vitesse (800G / 1.6T) — Traite des densités de flux thermique extrêmes jusqu'à 15–20 W/cm² dans les modules 1.6T ; l'utilisation d'AlN par module augmente sous la demande liée à l'IA.
• Communication RF & micro‑ondes (5G / Satellite) — Faible perte diélectrique (tanδ < 0.001) optimisée pour la transmission haute fréquence ; assure refroidissement et support pour transistors de puissance GaN ; utilisé en 5G NR, mmWave et bande Ka satellite.
• Véhicules nouvelle énergie (électronique de puissance / IGBT) — Adapté aux plateformes 800V, fournissant isolation et refroidissement hautement fiables pour modules SiC MOSFET et IGBT ; répond aux exigences de cycles thermiques, chocs thermiques et vibrations.
• LED haute puissance (phares automobiles / durcissement industriel) — Idéal pour COB ou modules multi‑puces intégrés, exporte efficacement la chaleur pour garantir un bon rendement lumineux et une longue durée de vie ; utilisé dans les phares LED intelligents, le durcissement UV industriel et l'éclairage commercial haut de gamme.

Métallisation et traitement
Compatible avec plusieurs procédés de métallisation, incluant DPC (Direct Plated Copper) pour circuits fins, AMB (Active Metal Brazing) pour modules de puissance à haute fiabilité, et métallisation épaisse ou mince pour des emballages électroniques personnalisés.

Pourquoi choisir ces substrats AlN
La conductivité thermique élevée, la compatibilité CTE avec les semi‑conducteurs courants, l'isolation électrique supérieure et la planéité de surface avancée contribuent à améliorer la gestion thermique, l'intégrité du signal et la fiabilité long terme des boîtiers électroniques et photoniques haute performance.

Caractéristiques techniques

• Matériau : substrat céramique en nitrure d'aluminium (AlN)
• Conductivité thermique : 170–230 W/m·K
• Coefficient de dilatation thermique (CTE) : environ 4,5 ppm/°C
• Perte diélectrique (typique) : tanδ < 0.001 (optimisé pour usage haute fréquence)
• Rugosité de surface : Ra typique ≤ 0,5 μm
• Épaisseur standard : 1,0 mm (personnalisation disponible)
• Modèles et dimensions standard : Modèle A (37 × 26 mm), Modèle B (35 × 22 mm), Modèle C (25 × 20 mm)
• Applications recommandées : modules optiques haute vitesse (800G / 1.6T), puissance RF/micro‑ondes et PA, électronique de puissance (IGBT/SiC MOSFET), LED haute puissance
• Options de métallisation : DPC, AMB, métallisation épaisse, métallisation mince
• Principaux bénéfices : conductivité thermique extrême par rapport à l'alumine, forte résistivité volumique et tenue diélectrique, CTE apparié à Si/GaN, grande précision de surface pour le montage de puces