Disque en céramique

en nitrure d'aluminiumd'isolation

Grâce à ses propriétés d'isolation électrique et à son excellente conductivité thermique, la céramique de nitrure d'aluminium (AlN) est idéale pour les applications nécessitant une dissipation de la chaleur. En outre, comme elle offre un coefficient de dilatation thermique proche de celui du silicium et une excellente résistance au plasma, elle est utilisée pour les composants des équipements de traitement des semi-conducteurs.Bonnes propriétés mécaniques, résistance à la flexion supérieure à celle des céramiques Al2O3 et BeO, résistance aux températures élevées et à la corrosion.Conductivité thermique élevée combinée à de bonnes caractéristiques d'isolation électrique.Stabilité exceptionnelle lorsqu'elle est exposée à de nombreux sels fondus.Stabilité thermique jusqu'à au moins 1500°CCaractéristiques mécaniques favorables s'étendant à la plage des températures élevées.Faible dilatation thermique et résistance aux chocs thermiques.Caractéristiques optiques et acoustiques spéciales.PropriétésValeurCouleur Gris foncéContenu principal96%ALNDensité apparente(g/cm3)3,335Absorption d'eau0,00Résistance à la flexion(MPa)382,70Constante diélectrique(1MHz)8.56Coefficient de dilatation thermique linéaire(/℃，5℃/min, 20-300℃)2,805*10-6Conductivité thermique(30 degré Celsius)>=170Durabilité chimique(mg/cm2)0,97Résistance aux chocs thermiquesPas de fissuresRésistance volumique(Ω.cm) (20 degré Celsius)1,4*1014Résistance diélectrique(KV/mm)18.45Rugosité de surface Ra(μm)0,3-0,5Cambre(longueur ‰）<=2‰Moulage par injection de céramiqueMoulage par injection à basse pressionPression isostatique à froidPression à secCoulée sur bandeTraitement par usinage de précisionDissipateurs thermiques en céramique AlN pour système de haute puissanceCrucible AlN, plat d'évaporation Al et autres pièces résistantes à la corrosion à haute température.Substrats en cuivre à liaison directe (DBC)Tige en céramique AlNSubstrat en céramique AlNRéchauffeur en céramique AlNFormes personnaliséesComposants pour équipements semi-conducteursEmballage ICSubstrat pour modules thermiquesSubstrat pour modules à transistors de haute puissanceSubstrat pour dispositifs à haute fréquenceCarte d'isolation thermique pour modules à thyristorsLaser à semi-conducteurs, substrat fixe pour diode électroluminescente （LED)Module intégré hybride, module de dispositif d'allumageUtilisé dans le frittage de céramiques structurellesCreuset en AlN pour la fusion des métaux et les cigarettes électroniquesAppliqué aux matériaux lumineuxAppliqué au matériau du substratLe nitrure d'aluminium (AlN) a une largeur de bande interdite directe maximale de 6.le nitrure d'aluminium (AlN) a une largeur de bande interdite directe maximale de 6,2eV, ce qui lui confère une efficacité de conversion photoélectrique supérieure à celle d'un semi-conducteur à bande interdite indirecte. En tant que matériau luminescent bleu et ultraviolet important, l'AlN est utilisé dans les diodes électroluminescentes ULTRAVIOLET/ultraviolet profond, les diodes laser ultraviolettes et les détecteurs ultraviolets. En outre, l'AlN peut former des solutions solides continues avec des composés de nitrure du groupe III tels que le GaN et l'InN, et ses alliages à trois ou quatre éléments peuvent atteindre une bande interdite accordable continue allant de la bande visible à la bande de l'ultraviolet profond, ce qui en fait un important matériau luminescent à hautes performances.Les cristaux d'AlN sont des substrats idéaux pour les matériaux épitaxiaux GaN, AlGaN et AlN. Par rapport aux substrats en saphir ou en SiC, l'AlN présente une meilleure adéquation thermique et une meilleure compatibilité chimique avec le GaN, ainsi qu'une plus faible tension entre le substrat et la couche épitaxiale. Par conséquent, le cristal d'AlN en tant que substrat épitaxial GaN peut réduire considérablement la densité de défauts dans le dispositif, améliorer la performance du dispositif et a de bonnes perspectives d'application dans la préparation de dispositifs électroniques à haute température, haute fréquence et haute puissance. En outre, le substrat du matériau épitaxial AlGaN avec le cristal d'AlN en tant que composant Al élevé peut réduire efficacement la densité de défauts dans la couche épitaxiale de nitrure et améliorer considérablement la performance et la durée de vie des dispositifs semi-conducteurs de nitrure.Spécifications normales du substrat céramique ALN:Longueur et largeur : 25,4 mm ; 50,8 mm ; 63,5 mm ; 76,2 mm ; 101,6 mm ; 114,3 mm ; 127 mm ; 152,4 mm.épaisseur : 0,25 mm ; 0,5 mm ; 0,63 mm;1 mm;1,5 mm ; 2 mm.Bonnes propriétés mécaniquesRésistance à la flexion supérieure à celle des céramiques Al2O3 et BeORésistance aux températures élevées et à la corrosionConductivité thermique élevée avec une bonne isolation électriqueStabilité exceptionnelle aux sels fondusStabilité thermique jusqu'à 1500°CFaible dilatation thermique et résistance aux chocs thermiquesCouleur : Gris foncéContenu principal : 96%ALNDensité en vrac : 3.335 g/cm³Absorption d'eau : 0.00Résistance à la flexion : 382,70 MPaConstante diélectrique : 8,56 (1MHz)Coefficient de dilatation thermique linéaire : 2,805*10^-6 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)Conductivité thermique : ≥170 (30°C)Durabilité chimique : 0,97 mg/cm²Résistance aux chocs thermiques : Pas de fissuresRésistivité volumique : 1,4*10^14 Ω.cm (20°C)Rigidité diélectrique : 18,45 KV/mmRugosité de surface Ra : 0,3-0,5 μmCambre (longueur ‰) : ≤2‰