Plaque en verre

Présentation
L'emballage tridimensionnel au niveau wafer (WLP) utilisant des vias traversant le verre (TGV) permet la miniaturisation des composants semiconducteurs et améliore les performances haute fréquence grâce aux interconnexions métalliques.

Caractéristiques

• Bonding anodique avec wafer en silicium possible
• Processus sans adhésif éliminant les problèmes d'exsudation de gaz
• Performances haute fréquence adaptées aux applications RF
• Faible capacité parasite comparé au TSV
• Faible inductance
• Faible résistance électrique grâce aux vias métalliques

Adapté à l'encapsulation WL‑CSP pour MEMS

• Tolérance de pitch de via fine
• Pitch consécutif ≤ ±20 μm sur wafers φ200 mm
• Pitch consécutif des vias ≤ ±20 μm
• Disponible jusqu'à wafers φ200 mm

Marchés utilisateurs / Applications

• AV / Mobile : Interrupteurs/relays RF pour smartphones, appareils portables, appareils photo numériques, navigation embarquée ; capteurs de pression ; gyroscopes ; accéléromètres ; capteurs d'image
• Automobile : Capteurs de pression ; accéléromètres ; gyroscopes
• Semi‑conducteurs : Interrupteurs RF‑MEMS ; capteurs d'image
• Biotechnologie / Médical : Capteurs de pression pour dispositifs médicaux

Caractéristiques techniques

• Matériau : Borofloat 33, SW-YY
• Taille du verre : ≤ φ200 mm
• Épaisseur minimale : 0,3 mm
• Diamètre minimal de via : φ0,15 mm
• Tolérance du diamètre des trous : ±0,02 mm
• Rapport profondeur/diamètre maximal : 1 : 5
• Matériau de via : Si, W (tungstène)
• Étanchéité via (test fuite He) : 1×10^-9 Pa·m^3/s
• Jeu via–verre (Standard) : 0 μm–3,0 μm
• Jeu via–verre (Option 1) : 0 μm–1,0 μm
• Jeu via–verre (Option 2) : -3,0 μm–0 μm
• Forme de via : Droite
• Usinage de cavité : Disponible
• Métallisation : Disponible
• Procédé de bump : Disponible