Machine de découpe à fil GC-800XC
pour silicium monocristallinde waferavec logiciel de commande

Machine de découpe à fil - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - pour silicium monocristallin / de wafer / avec logiciel de commande
Machine de découpe à fil - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - pour silicium monocristallin / de wafer / avec logiciel de commande
Machine de découpe à fil - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - pour silicium monocristallin / de wafer / avec logiciel de commande - image - 2
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Caractéristiques

Technologie
à fil
Matière traitée
pour silicium monocristallin
Produit traité
de wafer
Type de commande
avec logiciel de commande
Application
pour l'industrie microélectronique
Autres caractéristiques
automatique, haute précision, à haut rendement
Course X

Min: 315 mm
(12,4 in)

Max: 455 mm
(17,91 in)

Hauteur maximale de coupe

950 mm
(37,4 in)

Vitesse de coupe

2 600 m/min

Longueur hors tout

5 110 mm
(201 in)

Largeur hors tout

Min: 166 mm
(7 in)

Max: 230 mm
(9 in)

Hauteur

3 275 mm
(129 in)

Poids

12 500 kg
(27 557,78 lb)

Description

Introduction produit
Machine destinée à l'étape de découpe des wafers en silicium cristallin, lancée en novembre 2024. Sa conception à petit entraxe réglable permet de prendre en charge plusieurs formats de wafers/bâtons (16X / 18X / 210 / 220 / 230 mm) et répond aux besoins d'évolution des nouvelles cellules (HJT, TOPCon) : grand format, tranchage fin, demi-cellules et wafers rectangulaires.

Caractéristiques clés
Le GC-800XC adopte une nouvelle disposition de la zone de découpe avec une capacité maximale d'emport de lingot de silicium de 950 mm. La configuration de découpe permet des modes d'entraxe multi-réglages sur 315 mm – 370 mm – 400 mm – 455 mm à une vitesse de fil pouvant atteindre 2600 m/min. Un système de guidage du fil léger et haute précision réduit les fluctuations de tension ; la charge de tension ajoutée sur l'ensemble est < 1 N et le taux global de rupture de fil est < 5 %. La machine permet une découpe stable avec des diamètres de fil ≤ 18 μm, présente une faible consommation énergétique globale et dispose de plusieurs interfaces d'automatisation pour un pilotage de production intelligent et fondé sur les données.

Paramètres du produit
Taille du bâton de silicium : □166 ~ □230 × LMax.950 mm (compatible demi-wafer)
Vitesse linéaire maximale : 2600 m/min
Entraînement/entraxe : 315 ~ 455 mm
Capacité de stockage (fil) : 240 km
Dimensions de l'équipement (env.) : 5110 × 2481 × 3275 mm
Poids de l'équipement (env.) : 12 500 kg

Caractéristiques techniques
  • Modèle : GC-800XC
  • Application : étape de découpe pour la fabrication de wafers en silicium cristallin
  • Capacité maximale d'emport du lingot : 950 mm
  • Tailles prises en charge : □166 ~ □230 ; compatibles 16X/18X/210/220/230 mm et demi-wafer
  • Vitesse du fil (vitesse maximale) : 2600 m/min
  • Modes d'entraxe : multi-réglage 315 mm – 370 mm – 400 mm – 455 mm
  • Charge de tension ajoutée sur l'ensemble : < 1 N
  • Taux global de rupture de fil : < 5 %
  • Adaptation au diamètre du fil : découpe stable à 18 μm et moins
  • Capacité de stockage (fil) : 240 km
  • Dimensions de l'équipement (env.) : 5110 × 2481 × 3275 mm
  • Poids de l'équipement (env.) : 12 500 kg
  • Fonctionnalités : système de guidage léger et haute précision, faible consommation énergétique, interfaces d'automatisation pour production intelligente et contrôle piloté par les données
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.