Microscope électronique à balayage SU9600

pour mesures sur couches mincespour la recherchepour la recherche en matériaux

Présentation
Le SU9600 (T)SEM est un microscope électronique à balayage modulaire et hybride combinant un UHR-SEM ultra-haute résolution et des capacités STEM analytiques avec une scène échantillon compatible TEM. Il permet des analyses corrélatives de surface et par électrons transmis sur une plate-forme haute stabilité, prenant en charge UHR-SEM, STEM, 4D-STEM*, EELS* et nano-EDS* pour l'imagerie haute résolution et la caractérisation multimodale des matériaux.

Points clés

• UHR-SEM et STEM analytiques intégrés sur une même plate-forme stable
• Imagerie ultra-haute résolution de 10 V à 30 kV pour l'étude de surfaces et de structures
• Tête d'émission à champ froid, objectif en immersion totale et scène TEM (0,34 nm garanti @ 30 kV ; ~0,2 nm réalisable)

Fonctionnalités et avantages

• Détection complète des électrons réfléchis et transmis avec filtrage en énergie et en angle
• Corrélation du contraste SE/BSE en surface avec l'imagerie BF/ADF/STEM et les données spectrales (EELS/EDS)
• Analyse élémentaire sub-nm avec détecteur EDS sans fenêtre et grand angle solide
• Accès à des mesures avancées des propriétés des matériaux via EELS et 4D-STEM

Détails techniques

• Émission à champ froid nouvelle génération avec NEG pour haute brillance et aberration chromatique réduite (option EELS)
• Objectif en immersion totale associé à une scène de type TEM pour une résolution et une stabilité mécanique optimales
• Imagerie haute résolution de 0,5–30 kV (0,34 nm garanti @ 30 kV ; ~0,2 nm réalisable)
• Scène TEM et porte-échantillon double-tilt pour orientation rapide en coupe transversale et alignement d'axe de zone (option)
• Compatibilité avec porte-échantillons cryo et MEMS (option)

Capacités analytiques

• EDS sub-nm avec détecteur sans fenêtre grand angle pour cartographie élémentaire nanoscalée rapide
• 4D-STEM avec détection directe rapide permettant DPC, ptychography, cartographie de déformation et de phase ; des ouvertures virtuelles génèrent des images BF/DF/diffraction sélectionnée
• EELS à faible kV : imagerie élémentaire en temps réel, spectroscopie de pertes de cœur et plasmons ; le FEG froid offre une résolution énergétique d'environ 0,35 eV

Applications

• Nanomatériaux : cartographie élémentaire, composition de nanofils, imagerie de réseau
• Films minces : morphologie de surface et analyse de la structure des grains
• Analyse élémentaire : composition et cartographie nanoscalées (par ex. systèmes Ag/Cu)
• Semiconducteurs : imagerie du réseau atomique et analyse de diffraction

Spécifications
Résolution image SE : 0,4 nm @ 30 kV ; 1,0 nm @ 1 kV ; 0,6 nm @ landing 1 kV (avec porte-échantillon décelération et détecteur supérieur optionnels)
Résolution image STEM : 0,34 nm @ 30 kV (imagerie de réseau, option)
Tension d'accélération : 0,5 à 30 kV
Tension d'atterrissage : 0,01 à 20 kV
Déplacement d'image électrique : jusqu'à ±5 mm (hauteur de l'échantillon = 0,0 mm)
Parcours de la scène : X : ±4,0 mm, Y : ±2,0 mm, Z : ±0,3 mm, T : ±40°
Taille d'échantillon - scène plate : 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H) max
Taille d'échantillon - scène coupe transversale : 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H) max

Remarques
* Optionnel lorsque indiqué. Des fonctionnalités telles que 4D-STEM, EELS et certains porte-échantillons peuvent être optionnelles selon la configuration.