Machine de dépôt physique en phase vapeur OPT-E

de couches mincessous videoptique

Aperçu
OPT-E est un système de dépôt optique par faisceau d'électrons pour la mise en place de couches minces optiques et fonctionnelles sur verre, quartz, plaquettes de silicium et céramiques. Applications typiques : verre 3D mobile, lentilles optiques de précision et plaquettes semi‑conductrices. Le système intègre un canon à électrons à déflection avec creuset en cuivre refroidi par eau et prend en charge la surveillance cristalline et optique pour un contrôle précis des multicouches. Des options de source ionique configurables améliorent la densité et l'adhérence des films.

Avantages clés

• Canon à électrons à déflection avec creuset en cuivre refroidi pour l'évaporation de métaux à haut point de fusion et de céramiques oxydes
• Surveillance cristalline et optique pour un contrôle précis de l'épaisseur et du spectre
• Options de dépôt assisté par ions (RF, cathode creuse, filament Hall) pour augmenter la densité et l'adhérence des couches
• Supports en dôme ou planétaires permettant des processus multicouches continus (revêtements AR, HR, filtres)

Caractéristiques

• Source d'évaporation par faisceau d'électrons
• Systèmes de surveillance cristalline et optique pour le contrôle des multicouches
• Types de source ionique configurables : RF, cathode creuse, filament Hall
• Porte‑pièces : dôme intégré ou disque planétaire 4 axes ; révolution ou rotation planétaire avec réglage de vitesse sans paliers à fréquence variable
• Interface tactile et automatisation PLC

Paramètres du produit
Modèle : OPT-E
Technologie de dépôt : Évaporation par faisceau d'électrons
Principe de fonctionnement : Dépôt physique en phase vapeur par évaporation par faisceau d'électrons à haute énergie
Matériaux des substrats : Verre, quartz, plaquettes de silicium, céramiques
Applications typiques : Verre 3D mobile, lentilles optiques de précision, plaquettes semi‑conductrices
Types de revêtements : AR, HR, filtres optiques, couches électrode/contact semi‑conductrices, films AF
Matériaux courants : SiO2, TiO2, ZrO2, SiO
Source d'évaporation : Canon à électrons à déflection avec creuset en cuivre refroidi par eau
Vide ultime : 6 × 10⁻⁴ Pa (à vide, conditions salle blanche)
Diamètres de chambre : Ø900 / Ø1100 / Ø1350 / Ø1550 / Ø1800 / Ø2050 / Ø2350 / Ø2700 mm
Hauteur de chambre : 1500 mm
Porte‑pièces : Porte‑pièces en forme de dôme / disque planétaire plat
Spécification du porte‑pièces : Dôme intégré / disque planétaire 4 axes

Spécifications techniques

• Modèle : OPT-E
• Méthode de dépôt : Évaporation par faisceau d'électrons (canon à électrons à déflection + creuset en cuivre refroidi par eau)
• Surveillance : Surveillance cristalline et optique pour le contrôle de l'épaisseur et de la longueur d'onde
• Assistance ionique : Options configurables RF, cathode creuse ou filament Hall
• Substrats pris en charge : Verre, quartz, plaquettes de silicium, céramiques
• Revêtements pris en charge : AR, HR, filtres optiques, couches électrode/contact semi‑conductrices, AF
• Matériaux courants : SiO2, TiO2, ZrO2, SiO
• Performance de vide : jusqu'à 6 × 10⁻⁴ Pa (à vide, conditions salle blanche)
• Dimensions de chambre : diamètres Ø900–Ø2700 mm ; hauteur 1500 mm
• Porte‑pièces : Dôme ou planétaire (dôme intégré ou disque planétaire 4 axes), contrôle de vitesse à fréquence variable
• Contrôle : Interface tactile et automatisation PLC