Entrez en contact avec vos nouveaux clients en un seul endroit, toute l'année
Devenir exposant
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Tension: 60 V
... Transistor NPN en silicium épitaxié Applications Ce produit est d'usage général et convient à de nombreuses applications différentes. ...
Courant: 24 A
Tension: 1 700 V
... mise au point pour les écrans CRT haute définition. La nouvelle série de produits HD présente une efficacité améliorée du silicium, ce qui permet d'actualiser les performances au niveau de la déflexion horizontale. Toutes les caractéristiques TECHNOLOGIE ...
Courant: 81 A
Tension: 1 200 V
... Le SCT4018KE est un MOSFET SiC qui contribue à la miniaturisation et à la faible consommation d'énergie des applications. Il s'agit d'un produit de 4ème génération qui permet d'atteindre une faible résistance à l'enclenchement sans sacrifier ...
ROHM Semiconductor
Courant: 51 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Courant: 75 A
Tension: 1 200 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Courant: 31 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 1 200 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Courant: 98 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Courant: 34 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Courant: 31 A
Tension: 750 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages des ...
ROHM Semiconductor
Courant: 26 A
Tension: 1 200 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET ...
ROHM Semiconductor
Courant: 24 A
Tension: 1 200 V
... est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages des ...
ROHM Semiconductor
Courant: 1 A - 5 A
Tension: 12 V - 400 V
... leader sur le marché des transistors bipolaires. En utilisant sa large gamme d'emballages internes et sa technologie supérieure au silicium, Diodes est idéalement positionnée pour répondre à vos besoins en matière de ...
Diodes Incorporated
Tension: 50, 100 V
... Le FMMT413 est un transistor bipolaire planaire en silicium NPN optimisé pour le fonctionnement en mode avalanche. Le contrôle serré du processus et le conditionnement à faible inductance se combinent pour produire des ...
Diodes Incorporated
Tension: 45 V
... Les types BCX51, BCX52 et BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR sont des transistors au silicium PNP fabriqués par le procédé épitaxial planaire, moulés à l'époxy dans un boîtier pour montage en surface, conçus pour des applications ...
Central Semiconductor
Tension: 60 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCV47 est un transistor Darlington NPN au silicium fabriqué par le procédé planaire épitaxial, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour des applications ...
Central Semiconductor
Tension: 60, 80 V
... Le CMLT3820G de CENTRAL SEMICONDUCTOR est un transistor NPN à très faible VCE(SAT), conçu pour les applications où la petite taille et l'efficacité sont les principales exigences. Présenté dans un boîtier de montage en surface SOT-563 ...
Central Semiconductor
Courant: 50 mA
Tension: 30 V
... Les CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 et CMPFJ176 sont des JFET à canal P, moulés en époxy, fabriqués dans un boîtier SOT-23, conçus pour des applications d'amplification de bas niveau fabriqués dans un boîtier SOT-23, conçus pour des applications d'amplificateurs ...
Central Semiconductor
Courant: 5 A
Tension: 40 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPP6027 et CMPP6028 sont des transistors unijonction programmables au silicium, fabriqués dans un boîtier SOT-23 pour montage en surface, conçus pour des caractéristiques réglables ...
Central Semiconductor
Courant: 200 mA
Tension: 40, 60 V
... Le CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0405 est un transistor NPN simple et une diode Schottky emballés dans un boîtier SOT-563 peu encombrant et conçu pour les applications générales à petit signal où la taille et l'efficacité opérationnelle sont ...
Central Semiconductor
Courant: 1 A
Tension: 25, 40, 6 V
... personnels, les ordinateurs portables, etc. CARACTÉRISTIQUES - Dispositif à double puce - Transistor et redresseur Schottky à courant élevé (1,0 A) - Transistor NPN à faible VCE(SAT) (450mV @ IC=1,0A MAX) - Redresseur ...
Central Semiconductor
Entrez en contact avec vos nouveaux clients en un seul endroit, toute l'année
Devenir exposantles meilleurs fournisseurs