Transistors IGBT Bourn And Koch

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module transistors IGBT
module transistors IGBT
NXH800H120L7QDSG

Courant: 800 A
Tension: 1 200 V

... Le NXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet aux concepteurs d'obtenir ...

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Onsemi
module transistors IGBT
module transistors IGBT
SNXH800H120L7QDSG

Courant: 800 A
Tension: 1 200 V

... Le SNXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet aux concepteurs ...

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Onsemi
transistor IGBT
transistor IGBT
STGB8NC60KDT4

Courant: 8 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute de tension à l'état ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGD8NC60KD

Courant: 8 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute de tension à l'état ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGF8NC60KD

Courant: 8 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute de tension à l'état ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGP8NC60KD

Courant: 8 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute de tension à l'état ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGW30NC60KD

Courant: 30 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le procédé avancé PowerMESH, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute de tension à l'état ...

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