Disque en céramique 69299-00001-9068
de carbure de siliciumhaute température

Disque en céramique - 69299-00001-9068 - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd - de carbure de silicium / haute température
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Caractéristiques

Forme
en disque
Composition
de carbure de silicium
Autres caractéristiques
haute température
Épaisseur

Max: 2,1 mm
(0,083 in)

Min: 1,9 mm
(0,075 in)

Largeur

Max: 80,1 mm
(3,15 in)

Min: 79,9 mm
(3,15 in)

Description

Description courte
Ces disques céramiques poreux en SiC sont conçus pour l'adsorption sous vide de précision et les applications à coussin d'air dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs et industriels avancés. Fabriqués en carbure de silicium, ils présentent une dureté élevée, une conductivité thermique adaptée et une résistance chimique, assurant une force de maintien sous vide stable et une distribution uniforme du flux d'air. Les disques permettent une manutention sans contact et à faible risque d'endommagement des plaquettes, panneaux et substrats fins, adaptés aux environnements de production haute température et haute précision.

Spécifications produit (récapitulatif)
Formule : SiC
Forme : Disque
Matériau : Céramique poreuse en carbure de silicium
Numéro CAS : 409-21-2
Produit : Disque céramique poreux

Spécifications / Tolérances (disque)
Épaisseur : 2 mm (tolérance ±0,1 mm)
Diamètre extérieur : 80 mm (tolérance ±0,1 mm)

Propriétés physiques
Densité : 2,0 - 2,2 g/cm³

Propriétés mécaniques
Dureté (HRA) : ≥ 40,00

Applications typiques
  • Systèmes de mors sous vide pour semi-conducteurs (meulage de plaquettes, découpe de plaquettes, mors d'impression sous vide)
  • Nettoyage de mors sous vide
  • Mors de transfert et de manutention sous vide
  • Plateformes de coussin d'air et paliers d'air de précision
  • Fabrication de panneaux LCD et OLED
  • Traitement microélectronique des semi-conducteurs
  • Manutention de verres et panneaux pour téléphones mobiles
  • Traitement de couches minces
  • Plateformes de traitement laser
  • Systèmes d'impression et de revêtement
  • Industrie photovoltaïque et production de cellules solaires


Caractéristiques principales
  • Structure poreuse uniforme et stable
  • Performance d'adsorption sous vide fiable
  • Distribution uniforme du flux d'air pour les applications à coussin d'air
  • Adapté à la manutention sans contact et à faible dommage
  • Grande précision dimensionnelle et cohérence
  • Conçu pour les environnements de fabrication en salle blanche


Spécifications et variantes
  • Plusieurs diamètres et épaisseurs disponibles
  • Différentes structures de pores pour répondre aux exigences de charge et de procédé
  • Distribution de pores constante selon les spécifications


Caractéristiques techniques / Spécifications
  • Formule : SiC
  • Forme : Disque
  • Matériau : Céramique poreuse en carbure de silicium
  • Numéro CAS : 409-21-2
  • Produit : Disque céramique poreux
  • Épaisseur du disque : 2 mm (tolérance ±0,1 mm)
  • Diamètre extérieur : 80 mm (tolérance ±0,1 mm)
  • Densité : 2,0 - 2,2 g/cm³
  • Dureté (HRA) : ≥ 40,00
  • Tailles de pores disponibles : ex. 15 μm et 30 μm
  • Emballage : 1 pièce par unité

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.