Substrat en nitrure d'aluminium

Présentation
Submount à structure trois couches Cu-AlN-Cu utilisé comme dissipateur thermique pour modules à diode laser (LD) haute puissance. La composition Cu/AlN/Cu combine conductivité thermique élevée et isolation électrique. Le contrôle de l'épaisseur du plaquage Cu et des couches permet un appariement du coefficient de dilatation thermique (CTE) avec la puce LD, contribuant à une puissance plus élevée et une durée de vie prolongée. L'absence de pullback sur les zones de bords critiques offre une grande liberté de conception de l'emballage et de l'optique.

Caractéristiques

• Composite Cu + AlN assurant conductivité thermique et isolation électrique
• Appariement CTE avec la LD possible en ajustant les épaisseurs de Cu et AlN
• Le contrôle des épaisseurs permet d'adapter le CTE aux matériaux LD spécifiques
• Adapté aux configurations LD multi-émetteurs
• Pas de pullback sur les zones de bords critiques
• Facilite le montage P-side-down et les conceptions compactes
• Dépôt de soudure AuSn / AuGe par vaporisation disponible
• Bords nets permettant un positionnement précis de la LD
• Rayon d'arête < 20 μm

Données comparatives (référence)
Unité / Cu-AlN-Cu / AlN / CuW (10/20)
Propriété matériau / − / Isolant / Conducteur
Conductivité thermique (W/m·K) / 190–250※ / 170 / 180/200
CTE (ppm/°C) / 6–10※ / 4.6 / 6.5/8.3
Résistivité électrique (Ω·m) / − / − / 5.3/4.0 (×10-8)
Tension de service (V) / <200 / <200 / NA
Permittivité relative (@1 MHz) / − / 9 / NA
Facteur de dissipation (Tan δ) / − / 5×10-4 / NA
(※Contrôlable par conception)

Applications

• Lasers industriels : soudage, découpe, marquage, traitement de surface (recuit), etc.
• Lasers médicaux : ophtalmologie, épilation, systèmes endoscopiques
• Équipements semi-conducteurs : dispositifs de puissance et outils de traitement laser
• Équipements numériques : imprimantes laser et multifonctions

Caractéristiques techniques

• Type de produit : Submount isolant trois couches Cu-AlN-Cu (Cu / AlN / Cu)
• Fonction : Dissipateur thermique pour modules LD haute puissance, alliant conductivité thermique et isolation électrique
• Conductivité thermique : 190–250 W/m·K (Cu-AlN-Cu, contrôlable par conception)
• CTE : 6–10 ppm/°C (contrôlable par conception)
• Résistance électrique : non spécifiée pour Cu-AlN-Cu (valeurs conductives indiquées pour CuW)
• Tension de service : <200 V
• Permittivité relative (@1 MHz) : 9 (référence)
• Facteur de dissipation (Tan δ) : 5×10-4 (référence)
• Soudure : Dépôt vapeur AuSn / AuGe disponible
• Qualité d'arête : Rayon d'arête < 20 μm pour un alignement précis de la LD
• Notes de conception : Contrôle de l'épaisseur de Cu pour l'accord thermique ; pas de pullback requis sur les bords critiques ; épaisseurs Cu/AlN ajustables pour régler le CTE
• Recommandé pour : LD multi-émetteur et configurations P-side-down