Four de sublimation SiCubede croissance cristallineà clocheà gaz
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Caractéristiques
- Fonction
- de sublimation, de croissance cristalline
- Configuration
- à cloche
- Source de chaleur
- à gaz
- Atmosphère
- sous vide poussé
- Autres caractéristiques
- pour lingot
- Température max.
2 600 °C
(4 712 °F)
Description
Le système HTCVT / HTCVD a été spécialement conçu pour la croissance cristalline du carbure de silicium (SiC) par sublimation / décomposition thermique (pyrolyse) des gaz sources à haute température. Grâce à la capacité de vide élevé, il est possible d'obtenir des surfaces ultra propres en ce qui concerne l'eau et l'oxygène avant le début du processus. La conception du système permet l'utilisation de substrats (graines) jusqu'à 4" de diamètre.
Caractéristiques techniques
Tube de réacteur
pression de service :
env. 5 - 900 mbar
température de fonctionnement :
max. 2,600 °C
Alimentation électrique
le pouvoir :
max. 80 kW
fréquence :
6 - 8 kHz
Avantages HTCVD :
matériau SiC de haute pureté
ajustement du rapport C/Si
dopage
Avantages Sublimation :
technologie bien connue
répond aux exigences relatives aux substrats de puissance
Applications
- PFC (convertisseur de facteur de puissance)
- Onduleurs et convertisseurs pour la technologie hybride
- Onduleur pour l'énergie solaire
- Electronique haute fréquence
- Opto-électronique
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.