Transistor MOSFET max. 550 W | HiperTFS™

de puissance

Description Les membres de famille de dispositif de HiperTFS? incorporent un convertisseur deux-commutateur-vers l'avant de haute puissance et un convertisseur (de secours) de retour rapide de mi-puissance à un paquet simple et low-profile de puissance d'eSIP?. La solution à microplaquette unique fournit les contrôleurs pour les convertisseurs deux-commutateur-vers l'avant et de retour rapide, la haute et les conducteurs de bas-côté, chacun des trois des transistors MOSFET à haute tension de puissance, et élimine le besoin du convertisseur de transformateurs externes coûteux d'impulsion. Le dispositif est idéal pour les applications de puissance élevée qui exigent un convertisseur de puissance principale (deux-commutateur en avant) jusqu'à 414 W, et le convertisseur de secours (retour rapide) jusqu'à 20 que W. HiperTFS ensemble de norme inclut de puissance intégrations' de dispositifs complets de protection, tels qu'intégré doux-commencent, protection de défaut et de surcharge, et arrêt thermique par hystérésis. HiperTFS utilise la technologie du conditionnement avançée de puissance qui simplifie la complexité de la disposition vers l'avant de deux-commutateur, du support et de la gestion thermique, tout en fournissant des possibilités de puissance très élevée dans un paquet compact simple. Les dispositifs fonctionnent sur un grand choix de tension d'entrée, et peuvent être employés après une étape de correction de puissance-facteur telle que HiperPFS.