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Machine de dépôt par pulvérisation cathodique à magnétron UNIvap
par évaporation thermiqueassisté par faisceau d'ionsde couches minces

machine de dépôt par pulvérisation cathodique à magnétron
machine de dépôt par pulvérisation cathodique à magnétron
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Caractéristiques

Technologie
par pulvérisation cathodique à magnétron, par évaporation thermique, assisté par faisceau d'ions
Type de dépôt
de couches minces
Autres caractéristiques
sous vide
Applications
pour l'industrie de la microélectronique, pour applications photovoltaïques

Description

• Système autonome • Solution compacte et économiquement avantageuse • Design simple • Co-déposition possible • Uniformité jusqu'à +/-3 % (avec une conception géométrique spécifique jusqu'à +/1 %) • Deux tailles standard : UNIvap 4S et UNIvap 5S • Jusqu'à 8 sources de dépôt possibles • Taille du substrat jusqu'à 100x100 mm ou diam. 100 mm (4") pour UNIvap 4S • Taille du substrat jusqu'à 150x150 mm ou diam. 150 mm (6") pour UNIvap 5S • OLEDs & Électronique Organique • Photovoltaïque Organique

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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