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Transistor MOSFET de puissance
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Caractéristiques
- Type
- MOSFET
- Technologie
- de puissance
Description
Dispositifs
La puce de silicone sur Diriger-Cuivre-Collent
substrat
- dissipation de puissance élevée
- surface de montage d'isolement
- 2500 isolements électriques de V
- bas drain pour tabuler la capacité (< 40 pf)
CoolMOS? rapide 1) transistor MOSFET 4ème de puissance
génération
- possibilités de blocage élevées
- la plus basse résistance
- avalanche évaluée pour unclamped
commutation inductive (UIS)
- basse résistance thermique
en raison de l'épaisseur réduite de morceau
Densité de puissance totale augmentée
Diode de poussée de SiC
- aucun courant de rétablissement d'inversion
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Catalogues
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