Dispositifs
La puce de silicone sur Diriger-Cuivre-Collent
substrat
- dissipation de puissance élevée
- surface de montage d'isolement
- 2500 isolements électriques de V
- bas drain pour tabuler la capacité (< 40 pf)
CoolMOS? rapide 1) transistor MOSFET 4ème de puissance
génération
- possibilités de blocage élevées
- la plus basse résistance
- avalanche évaluée pour unclamped
commutation inductive (UIS)
- basse résistance thermique
en raison de l'épaisseur réduite de morceau
Densité de puissance totale augmentée
Diode de poussée de SiC
- aucun courant de rétablissement d'inversion
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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