Dispositifs
* Basse chute de tension vers l'avant.
* Possibilités élevées de courant de montée subite.
Le RHRP15120 est une diode de hyperfast avec les caractéristiques douces de rétablissement (trr<65ns). Il a la moitié de période de rétablissement des diodes ultra-rapides et est de construction planaire épitaxiale ion-implantée passivée de nitrure de silicium.
Ce dispositif est prévu pour l'usage en tant que laisser aller/maintenant la diode et le redresseur dans une série d'alimentations ...
Une diode d'usage universel que la vitesse de commutation rapide élevée de conductibilité vers l'avant de couples et les tensions de blocage élevées dans une surface LL-34 sans plomb en verre montent le paquet.
Le placement de l'expansion Gap n'a aucun rapport avec l'endroit du terminal cathodique qui est indiqué par la première bande de couleur. Une diode d'usage universel que la vitesse ...
Ligne souple des diodes de puissance comprenant les types en verre de fiabilité élevée, les dispositifs de suppression de montée subite pour protéger le matériel électronique (particulièrement dans des applications des véhicules à moteur) et les types à haute tension pour l'opération d'affichage aux fréquences. Paquets de terminal axial, press-fit et extérieurs de bâti disponibles.
Tension, modules 1.7kV, 3.3kV, 4.5kV et 6.5kV de la puissance élevée IGBT, jusqu'à 2400A. Perte de longévité de fatigue, à grande vitesse et basse thermique élevée. Les paquets incluent des types de norme européenne.
Phototransistors de silicium :
Divers types de paquet (SMT et par le trou) ; avec ou sans le filtre de jour.
Diodes de Schottky de carbure de silicium - NOUVEAU 3G maintenant disponible !
Le carbure de silicium (sic) est un matériel révolutionnaire pour des semi-conducteurs de puissance, ses propriétés physiques des dispositifs surpassent de SI et de GaN puissance de loin.
Dispositifs
* Comportement de commutation de repère
* Aucun rétablissement renversé
* ...
Diode de commutation de silicium
Pour des applications à grande vitesse de commutation
(RoHS conforme) package1 Pb-libres)
Qualifié accordant l'AEC Q101
Commutateur d'antenne
Infineon offre une brochure large des diodes de commutation pour aider vos conceptions de rf, comportant
- isolement élevé
- basse déformation harmonique
- basse perte par insertion
- diverses tailles des paquets, y compris le plus petit paquet sans plomb TSSLP-2-1 (0.6mm*0.3mm*0.3mm) de diode du monde
et 4 in-1 paquet TSSLP-8-1 (1.2mm*0.6mm*0.3mm) ...
Fonctionnant comme diode de déclenchement avec une référence de tension fixe, la série DB3/DB4 peut être employée en même temps que des triacs pour les circuits de commande simplifiés de porte ou comme élément commençant en ballasts fluorenscent de lampe.
Une nouvelle version extérieure de bâti est maintenant disponible en paquet SOT-23, fournissant à l'espace et à la compatibilité réduits ...
Une plus haute performance nivelle en termes de comportement de rétablissement, température de jonction, courant de fuite et pertes de commutation, les redresseurs de la rue d'endroit au tranchant de ce secteur.
Basé sur une grande brochure de barrière de Schottky (signal et puissance), y compris la nouvelle estimation d'avalanche, Turbo ultra-rapide bipolaire 2 et diodes, dispositifs tandem d'amortisseur ...
Redresseur duel de Schottky de puissance adapté à l'alimentation d'énergie de mode et Commutés de fréquence des convertisseurs continu-continu.
Emballé dans ISOTOP, ce dispositif est particulièrement prévu pour l'usage dans la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, le roulement libre et les applications de protection de polarité.
Toshiba offre une large ligne des diodes comprenant d'usage universel, rapidement et le rétablissement ultra-rapide, Schottky, diodes pin Pour le rf commutent, des varactors pour les oscillateurs tension-commandés (VCO), et des diodes pour la protection d'ESD. Notre surface-monter les produits de diode sont disponibles dans beaucoup de types et de tailles de paquet les rendant fortement appropriés ...
FET de la PUISSANCE GaAs de MICRO-ONDE
TIM3742-12UL
DISPOSITIFS
-  ; PUISSANCE ÉLEVÉE
P1dB=41.5dBm à 3.7GHz à 4.2GHz - À GAIN ÉLEVÉ
G1dB=11.5dB à 4.4GHz à 5.0GHz - LARGE BANDE INTÉRIEUREMENT A ASSORTI LE FET - PAQUET HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ
Toshiba offre une famille de produit ultra linéaire de FETs de GaAs, indiquée la famille d'UL, pour la gamme de fréquence de C-Bande avec un gain plus élevé, une déformation d'intermodulation inférieure et un rendement plus élevé. La famille de produit d'UL inclut des produits de 4 watts de (w) jusqu'à 25W et a été développée pour la radio numérique de micro-onde point par point pour des communications ...
Le MRFG35020AR1 est conçu pour les applications de station de base de WiMAX et de WLL qui ont une condition de guerre biologique de 200 mégahertz dans la gamme de fréquence de 2300-3800 mégahertz. Approprié applications de TDMA et de CDMA à amplificateur. Pour être employé dans des applications de la classe ab.
Les MRF7S16150HR3 et les MRF7S16150HSR3 sont conçus pour des applications de station de base de WiMAX avec des fréquences jusqu'à 1700 mégahertz. Approprié d'amplificateur multicarrier à WiMAX, à WiBro, à BWA, et applications à classe ab et à classe C d'OFDM.
Offre d'une large brochure des produits de puissance de rf, marchés des services de nombreux rf de semi-conducteur de Freescale comprenant l'infrastructure sans fil, d'émission et des marchés industriels, scientifiques et médicaux. Les offres de produit principales de puissance du rf de Freescale satisfont les demandes croissantes de l'ISM, de la micro-onde et des systèmes de communication personnels, ...
Renesas diodes support higher performance, smaller, and lighter mobile devices.
Renesas continues to take the lead with diodes such as PIN diodes that achieve
extremely low capacity through an original trench structure.
Renesas offer a wealth of triac and thyristor devices, best support for
white goods such as washing machines or rice cookers and also for strobe of digital
still camera or silver camera, so that you may cover many diversified applications and fulfill your needs.
Features
* Products available with guaranteed junction temperature of 150°C (600V, 700V, 800V)
...
Renesas transistors offer support for customers' systems by supporting a wide variety of
applications, from applications requiring ultra-small size to large current or amplification applications.
Description
Module de conducteur de – pour la conduite sûre de la puissance d'IGBT ou de transistor MOSFET
transistors
Coverter du – DC/DC inclus dans le module
Le rendement diagnostique VSM de – permet la surveillance du rendement de convertisseur
Isolement galvanique de – jusqu'à 3500 VCA
Surintensité de – et protection de court-circuit
Normes
En 61248-5 de –
En ...
Conducteur de transistor MOSFET
Les produits analogues de gestion de puissance de conducteur de transistor MOSFET de TI sont un sous-ensemble des solutions d'alimentation d'énergie analogue d'AC/DC et de DC/DC. Cette page est votre ressource pour télécharger des fiches techniques, notes d'application, échantillons d'ordre et pour employer la recherche paramétrique pour rechercher autre les ...
Vishay offre une gamme complète des produits de redresseur, y compris le pont, le Schottky, et les dispositifs jeûnent et ultra-rapides de rétablissement. Plus de 20 options de paquet sont disponibles, y compris le compact surface-montent la SMP, SMPC, et MicroSMP.
DISPOSITIFS
Jonction passivée par verre
Paquet hermétiquement scellé
Conforme à RoHS 2002/95/EC directif et dans l'accord à WEEE 2002/96/EC
Halogène-libre selon le CEI 61249-2-21
définition
APPLICATIONS
Rectification à haute tension
Diode d'efficacité dans le circuit de débattement horizontal
La brochure de la diode de Vishay inclut les dispositifs à haute tension et small-signal et adresse le plein éventail des systèmes électroniques des applications industrielles aux plus petits dispositifs personnels tenus dans la main de multimédia. Les produits de diode de Vishay incluent des diodes de Schottky et de commutation, les redresseurs à haute tension, dispositifs antiparasites passagers ...
Redresseurs élevés de courant de montée subite - bas redresseurs de chute de tension vers l'avant
SUR le semi-conducteur fournit les redresseurs standard et rapides de rétablissement pour les circuits qui pourraient rencontrer les courants de montée subite élevés.
Diodes de commutation - petites diodes de signal
SUR le semi-conducteur fournit les diodes de commutation à grande vitesse et petites de signal.
Diodes de Schottky - redresseurs de Schottky
SUR le semi-conducteur fournit les diodes et les redresseurs low-loss et à forte intensité de Schottky.
Pour faciliter cette campagne de miniaturisation, une nouvelle génération des diodes de morceau des Bourns a émergé qui offre les possibilités pour fournir à une diode de silicium des frais généraux de empaquetage minimaux. Les petites 1206 diodes de morceau du signal 0603, 1005 et sont sans plomb avec des arrêts plaqués par Cu/Ni/Au tandis que les autres paquets (SMA, SMB, SMC, 1408, 1607, 2010, ...
Dispositifs
■ ; Dispositif sans plomb (compliant* de RoHS) ■ ; Profil bas
■ ; Perte de puissance faible, rendement élevé
■ ; Classification de l'UL 94V-0
Applications
■ ; Alimentations d'énergie à haute fréquence de commutation ■ ; Inverseurs
■ ; Roulement libre
■ ; Protection de polarité ...
Dispositifs
■ ; Sans plomb en tant que ■ standard ; Compliant* de RoHS
■ ; Sans plomb
■ ; À grande vitesse
Applications
■ ; Téléphones mobiles
■ ; PDAs
■ ; PC de bureau et cahiers ■ ; Appareils photo numériques
■ ; Joueurs MP3
