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Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Courant: -4 A
Tension: -20 V
... avec une diode de protection G-S. Faible résistance à l'enclenchement -commande de 1,5 V Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier DFN Placage de plomb sans plomb ; conforme à RoHS ...
ROHM Semiconductor
Courant: 3 A
Tension: 80 V
... haute fiabilité de qualité automobile qualifié AEC-Q101. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier de montage en surface (TSMT6) Placage de plomb sans plomb ; conforme à RoHS Qualifié ...
ROHM Semiconductor
Courant: 4 A
Tension: 20 V
... qualité automobile qualifié AEC-Q101. 1.alimentation 5V Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier pour montage en surface (TSMT3) Qualifié AEC-Q101 ...
ROHM Semiconductor
Courant: -3,5 A
Tension: -20 V
... haute fiabilité de qualité automobile qualifié AEC-Q101. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier de montage en surface (TSMT6) Placage de plomb sans plomb ; conforme à RoHS Qualifié ...
ROHM Semiconductor
Courant: 2 A
Tension: 45 V
... haute fiabilité, adapté aux applications de commutation. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier de montage en surface peu encombrant (TSMT3) Placage de plomb sans plomb ; conforme ...
ROHM Semiconductor
Courant: -2,5 A
Tension: -30 V
... avec diode de protection G-S, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier de montage en surface (TSMT3) Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive ...
ROHM Semiconductor
Courant: 2,5 A
Tension: 30 V
... Le RTR025N03HZG est un transistor de qualité automobile de haute fiabilité, adapté aux applications de commutation. Faible résistance à l'enclenchement Diode de protection G-S intégrée Petit boîtier ...
ROHM Semiconductor
Courant: -5 A
Tension: -12 V
... intégrée pour les applications de commutation. Faible résistance à l'enclenchement. Diode de protection G-S intégrée. Petit boîtier de montage en surface (TSMT6). Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS. ...
ROHM Semiconductor
Courant: 3,5 A
Tension: 30 V
... intégrée pour les applications de commutation. Faible résistance à l'enclenchement. Diode de protection G-S intégrée. Petit boîtier de montage en surface (TSMT6). Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS. ...
ROHM Semiconductor
Tension: 45 V
... Les types BCX51, BCX52 et BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR sont des transistors au silicium PNP fabriqués par le procédé épitaxial planaire, moulés à l'époxy dans un boîtier pour montage en surface, conçus pour des applications ...
Central Semiconductor
Tension: 50, 60, 7 V
... Central Semiconductor (deux transistors NPN simples) est une combinaison double dans un boîtier SOT-363 ULTRAmini™ peu encombrant, conçu pour les applications d'amplification et de commutation à usage général de petits ...
Central Semiconductor
Tension: 50 V
... Les CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5086, CMPT5086B et CMPT5087 sont des transistors PNP au silicium fabriqués par le procédé épitaxial planaire, moulés à l'époxy dans un boîtier pour montage en surface, conçus pour des applications ...
Central Semiconductor
Tension: 60 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCV47 est un transistor Darlington NPN au silicium fabriqué par le procédé planaire épitaxial, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour des applications ...
Central Semiconductor
Tension: 60, 80 V
... Le CMLT3820G de CENTRAL SEMICONDUCTOR est un transistor NPN à très faible VCE(SAT), conçu pour les applications où la petite taille et l'efficacité sont les principales exigences. Présenté dans un boîtier ...
Central Semiconductor
Tension: 50, 100 V
... Le FMMT413 est un transistor bipolaire planaire en silicium NPN optimisé pour le fonctionnement en mode avalanche. Le contrôle serré du processus et le conditionnement à faible inductance se combinent pour produire des ...
Diodes Incorporated
Courant: 0,5 A - 2 A
Tension: 30 V - 140 V
... Caractéristiques et avantages BVCEO > -60V Transistor Darlington hFE > 10k @ 100mA pour un gain élevé IC = -500mA Courant de collecteur continu élevé Type PNP complémentaire de Darlington : BCV47 Totalement sans ...
Diodes Incorporated
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