Système de mesure effet Hall DX-1000T

de concentricitérésistivitépour semi-conducteur

Ce système instrumental comprend : un électro-aimant, une alimentation électrique pour électro-aimant, une source de courant constant de haute précision, un voltmètre de haute précision, un compteur de Gauss, un porte-échantillon à effet Hall, un échantillon standard, un Dewar à haute et basse température, un régulateur de température et un logiciel de système. Matériaux testables : - Matériaux semi-conducteurs : SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe et matériaux ferrites, etc ; - Matériaux à faible impédance : graphène, métaux, oxydes transparents, matériaux semi-conducteurs faiblement magnétiques, matériaux TMR, etc ; - Matériaux à haute résistance : GaAs semi-isolants, GaN, CdTe, etc. Indicateurs techniques - Champ magnétique : 2T pour un pas de 10 mm, 1T pour un pas de 30 mm ; - Courant d'échantillonnage : 0,05uA~50mA (réglage 0,1nA) ; - Tension de mesure : 0,1uV~30V ; - Fournit divers matériaux de test standard, silicium et arséniure de gallium de différents niveaux (sensibilité et précision différentes) ; - Résolution minimale : 0.1GS ; - Plage de champ magnétique : 0-1T ; - Coopérer avec un gaussmètre ou une carte d'acquisition numérique pour communiquer avec l'ordinateur ; - Mesure de la courbe I-V et de la courbe I-R, etc ; - Courbes de changement des paramètres tels que le coefficient de Hall et la concentration de porteurs en fonction de la température ; - Plage de résistivité : 10-7~1012 Ohm*cm ; - Gamme de résistance : 10 m Ohms~ 6MOhms ; - Concentration de porteurs : 103~1023cm-3 ; - Mobilité : 0,1~108cm2/volt*sec ; - Réglage de la température 0,1K ; - Zone de température : 77K-470K ; - Test entièrement automatisé, traitement en une seule touche ; - La mesure continue entre la même différence de température peut être réalisée. Paramètres de chaque composant : Electro-aimant de haute précision - Diamètre du pôle 100 mm ;