Machine de découpe à fil diamanté GC-SCDW8300
pour silicium monocristallinde waferde barres

Machine de découpe à fil diamanté - GC-SCDW8300 - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - pour silicium monocristallin / de wafer / de barres
Machine de découpe à fil diamanté - GC-SCDW8300 - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - pour silicium monocristallin / de wafer / de barres
Machine de découpe à fil diamanté - GC-SCDW8300 - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - pour silicium monocristallin / de wafer / de barres - image - 2
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Caractéristiques

Technologie
à fil diamanté
Matière traitée
pour silicium monocristallin
Produit traité
de wafer, de barres
Application
pour l'industrie des semi-conducteurs
Diamètre de tube

Max: 8 in

Min: 6 in

Longueur hors tout

4 880 mm
(192 in)

Largeur hors tout

2 100 mm
(83 in)

Hauteur

3 100 mm
(122 in)

Poids

14 000 kg
(30 864,72 lb)

Description

Présentation du produit
Cette machine est un système dédié de tranchage multi‑fils utilisant du fil diamanté pour la découpe de lingots de carbure de silicium (SiC). Elle dispose d'un empattement réglable, d'un dispositif d'oscillation de la pièce, d'une perte de matière faible et d'une consommation réduite de fil. Associée à un fil diamanté dédié, un système de contrôle de tension haute précision et une technologie de coupe à grande vitesse, elle assure une découpe stable, efficace et de haute qualité de cristaux 6–8″ × L300, adaptée aux lignes de production industrielles de wafers.

Caractéristiques clés
  • Découpe multi‑fils au fil diamanté spécifiquement conçue pour les lingots SiC
  • Empattement réglable pour accepter différents diamètres de lingots
  • Oscillation de la pièce pour améliorer la finition de surface et réduire l'écaillage
  • Faible perte de matière et consommation réduite de fil diamanté pour une production rentable
  • Contrôle de tension haute précision pour garantir l'épaisseur de coupe et la répétabilité
  • Prise en charge d'un approvisionnement en fil en simple sens ou double sens pour plus de flexibilité


Paramètres techniques
  • Taille max. de la pièce : 6–8″ × L300
  • Direction d'alimentation du fil : alimentation en simple sens / double sens
  • Vitesse max. du fil : 3000 m/min
  • Méthode de coupe : coupe descendante
  • Avance rapide (aller/retour rapide) : 50–500 mm/min
  • Angle de balancement max. : ±10°
  • Réserve de fil max. : 120 Km
  • Dimensions (L × l × H) : env. 4880 × 2100 × 3100 mm
  • Poids de l'équipement : env. 14000 Kg


Applications et avantages
  • Conçue pour la production en volume de wafers SiC destinés à l'électronique de puissance et aux substrats semi‑conducteurs
  • Qualité de coupe stable réduisant les opérations en aval et améliorant le rendement
  • Format et agencement adaptés à l'intégration dans des lignes de production automatisées
  • Grande réserve de fil et gestion efficace du fil diminuant la fréquence des changements
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.