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- Composant Optique
- Photodiode avalanche
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Photodiode avalanche XSJ-10-APD5-50P-XPIN
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Caractéristiques
- Spécifications
- avalanche
- Montage
- PIN
Description
Description
Cette puce de photodiode à avalanche 10G (puce APD) est une sorte d'électrode P en haut et d'électrode N en bas de la structure, avec la taille de la zone active éclairée par le haut est Φ50μm. Ce produit se caractérise par une forte multiplication, une faible capacité, une large bande passante, un faible coefficient de température et une excellente fiabilité. Il est utilisé dans les récepteurs optiques SONET/SDH 10G et PON 10G.
Caractéristiques
1. Surface active de Φ50μm.
2. Multiplication élevée.
3. Faible coefficient de température.
4. test et inspection à 100 %.
5. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE.
6. Conforme à la directive RoHS2.0 (2011/65/EU).
Applications
1. 10G SONET/SDH.
2. 10G PON.
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