- Métrologie - Laboratoire
- Composant Optique
- Photodiode InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Photodiode InGaAs XSJ-10-M-200-01PIN
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Caractéristiques
- Spécifications
- InGaAs
- Montage
- PIN
Description
Description
Cette puce de photodiode PIN de contrôle InGaAs/InP à éclairage par le haut présente une grande surface active, dont la structure est planaire, anode en haut et cathode en bas. La taille de la zone active est de Φ200μm, et la réactivité élevée dans la région de longueur d'onde de 980nm à 1620nm. Application dans la surveillance de la puissance optique de sortie de la face arrière de divers LD.
Caractéristiques
Structure planaire sur substrat InP n+ avec contact anodique supérieur.
Zone active de Φ200μm.
Haute responsabilité.
Faible courant d'obscurité.
Faible tension de polarisation de fonctionnement.
-plage de fonctionnement de 40℃ à 85℃.
Excellente fiabilité : Toutes les puces ont passé les exigences de qualification telles que spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE.
test et inspection à 100%.
Des dimensions de puce personnalisées sont disponibles.
Applications
Contrôle de la puissance des lasers à facette arrière.
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