Photodiode InGaAs XSJ-10-M-5000

PIN

Description Cette puce de photodiode PIN de surveillance InGaAs/InP à éclairage par le haut présente une grande surface active, dont la structure est planaire, l'anode en haut et la cathode en arrière. La taille de la zone active est de Φ5000μm, et la réactivité élevée dans la région de longueur d'onde de 980nm à 1620nm. Application dans la surveillance de la puissance optique de sortie de la face arrière de divers LD. Caractéristiques Structure planaire sur substrat InP n+ avec contact anodique supérieur. Zone active de Φ5000μm. Haute responsabilité et faible courant d'obscurité. Faible tension de polarisation de fonctionnement. -plage de fonctionnement de 40℃ à 85℃. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont passé les exigences de qualification telles que spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE. test et inspection à 100%. Des dimensions de puce personnalisées sont disponibles Applications Contrôle automatique industriel. Analyse et expérimentation scientifiques. Équipement de détection de la lumière dans l'espace. Mesureur de puissance optique. Test de spectre de réponse.