Photodiode InGaAs XSJ-10-APD4-80-TR1

avalanchePIN

Description La puce à photodiode à avalanche (puce APD) est un type de dispositif actif qui fournit un gain intégré et amplifie le photocourant. Les caractéristiques de ce produit sont une anode sur le dessus et une cathode à l'arrière, avec une zone active éclairée par le dessus de Φ80μm pour un assemblage optique facile ; une haute réactivité, un facteur de multiplication élevé et un faible courant d'obscurité. La puce APD 2,5Gbps haute performance et le TIA combiné TO-CAN peuvent améliorer la sensibilité du récepteur optique, des applications qui permettent la transmission de données pour la fibre à domicile (FTTH) d'aujourd'hui. Caractéristiques Zone active de Φ80μm. Anode sur le dessus et cathode à l'arrière. Faible courant d'obscurité. Excellente réactivité et gain élevé. Réflectivité<1,5% à 1550nm±50nm, <6% sur 1250nm～1700nm. Débit de données jusqu'à 2.5Gbps au-dessus. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE. test et inspection à 100 %. Conforme à la norme RoHS2.0 (2011/65/EU). Applications Télémètre laser à sécurité oculaire. Réflectomètre optique temporel (OTDR). Systèmes de communication optique.