Module MOSFET de puissance PhotoMOS®
de commutationpar résistance

module MOSFET de puissance
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Caractéristiques

Technologie
de puissance, de commutation
Autres caractéristiques
par résistance
Tension

Max: 1 500 000 mV

Min: 60 000 mV

Courant

Max: 550 mA

Min: 10 mA

Description

Le circuit d'attaque haute puissance pour MOSFET photovoltaïque de Panasonic est disponible dans un boîtier de petite taille (SSOP) avec un courant de court-circuit et une tension de décrochage plus élevés vers la grille du MOSFET. Capable de piloter des MOSFET à haute tension tels que les MOSFET SiC, ce circuit d'attaque est capable d'atteindre des capacités de commutation élevées à des vitesses de commutation élevées. Le remplacement d'un relais électromécanique standard par un PhotoMOS® peut offrir des avantages supplémentaires tels qu'un cycle de vie plus long, une meilleure résistance aux chocs et aux vibrations, une faible résistance à l'enclenchement et un cycle de vie théoriquement infini. Cela fait des relais PhotoMOS® une très bonne solution pour les systèmes de surveillance des batteries, les tests et mesures, l'énergie électrique et les marchés industriels. Boîtier SSOP miniature Fonctionnement MOSFET à grande vitesse Numéro de pièce APV1111GVY pour un courant de sortie élevé Faible résistance à l'enclenchement du MOSFET Numéro de pièce APV3111GVY pour une tension de sortie élevée Petite taille de boîtier Courant de court-circuit plus élevé Tension de sortie plus élevée Vitesses de commutation élevées Conforme à RoHS/REACH Gain d'espace sur la carte Taux de sécurité plus élevés Commutation de MOSFETs plus performants Temps de fonctionnement réduit

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.