Diode Schottky SR, MBR series

à broches radialesà faible chute de tension

Les séries de la frontière de diodes de MOS Schottky de fossé sont une conception mécanique très robuste avec de basses estimations de la tension en avant (VF). Optimisé pour la perte de rendement élevé et de puissance faible, elles approprié idéalement pour l'usage dans les alimentations d'énergie de changement et renverser la protection de batterie. La diode de Schottky (également connue sous le nom de diode de barrière de Schottky) est une diode de changement rapide avec une basse chute de tension en avant. Il y a une petite chute de tension à travers une diode si actuel la traverse. Les diodes de Schottky de TH de frontière ont une chute de tension en avant (gamme de VF de 0,45 à 0,92 volts, beaucoup inférieure à d'autres types de diodes. Cette basse chute de tension en avant fournit une efficacité de système plus élevée et une vitesse de changement plus rapide. Dans une diode de Schottky, on forme un semi-conducteur à la jonction en métal dans laquelle le semi-conducteur de type n agit en tant que cathode et le métal agit en tant qu'anode de la diode de Schottky. En choisissant des diodes de Schottky là soyez quelques paramètres importants à considérer, la chute de tension en avant (VF), le courant rectifié moyen (E/S), et le courant inverse répétitif maximal (VRRM) sont le plus commun. Chute de tension en avant des diodes de Schottky la basse (VF) les font idéalement adaptés à l'utilisation dans les systèmes solaires d'empêcher des batteries de vidanger par le panneau solaire quand il y a peu à aucune lumière. Des diodes de Schottky sont également utilisées dans des alimentations d'énergie de commuter-mode comme redresseurs dus à leur temps de réponse rapide et rendement élevé.