Machine de gravure de wafers sous vide IBT 800

par voie sèchepour l'électroniquepour l'industrie de la microélectronique

Présentation
Le LEYBOLD OPTICS IBT 800 (IBT series) est un système de traitement de wafers par faisceau d'ions conçu pour l'aplanissement précis, le trimming de motifs et l'enlèvement contrôlé de matière sur substrats semi‑conducteurs et RF. Il combine manutention automatisée, traitement par lots et double load lock pour garantir cadence et flexibilité en production et en laboratoire.

Avantages clés

• Compétence faisceau d'ions : technologie de faisceau d'ions éprouvée adaptée aux applications semi‑conductrices et RF.
• Haute productivité : manutention robotisée, porte‑substrats pour traitement par lots et double load lock augmentent le débit et réduisent les temps de cycle.
• Métrologie intégrée : option OTFP permettant la mesure en ligne de l'épaisseur des couches diélectriques avant et après traitement.

Applications

• RF connectivity : trimming de structures et enlèvement de matière pour filtres SAW/BAW, réglage de fréquence et traitement de surface des matériaux piézoélectriques (LiNbO3, LiTaO3), trimming d'oxydes (SiO2) pour compensation thermique (TC‑SAW) et ajustement d'épaisseur de nitrures (Si3N4).
• Wafer bonding et planarisation : lissage des wafers silicium et ajustement d'épaisseur de films lorsque le CMP est insuffisant pour préparer le wafer au bonding wafer‑à‑wafer.

Caractéristiques principales

• Sources ioniques & ISERM : compatible RF80 (80 mm) et RF40 (40 mm). ISERM permet la détermination de la vitesse d'attaque en quelques secondes sans rompre le vide.
• Processus par lots / porte‑substrats : traitement de lots en cassettes sur convoyeurs à rouleaux ; porte‑substrats disponibles pour 2×12", 3×8", 4×6" ou 8×4" (autres configurations sur demande).
• Manutention robotisée (ISO5) : système robotique compatible salle blanche pour chargement/déchargement automatique entre porte‑substrats et cassettes, réduisant l'interaction opérateur‑wafer.
• Métrologie intégrée — OTFP : spectromètre λ 200–1100 nm ; plage d'épaisseur 50 nm – 50 µm pour couches semi‑transparentes et couches semi‑conductrices.
• Double load lock : deux emplacements verticaux avec lift motorisé pour traitement parallèle des cassettes et réduction des temps d'opération.

Thèmes clés / Informations complémentaires

• Center of Competence Leipzig : centre d'expertise pour les technologies d'ion beam figuring et ion beam trimming.
• Écosystème produit et partenariats : alliances stratégiques pour l'intégration de solutions RF et procédés semi‑conducteurs.

Caractéristiques techniques

• Modèle affiché : IBT 800 (IBT series)
• Sources ioniques : RF80 (80 mm) et RF40 (40 mm)
• Taux d'enlèvement : jusqu'à 0,6 mm3/cm (RF80) et jusqu'à 0,15 mm3/cm (RF40)
• ISERM : mesure in‑situ du taux d'attaque en quelques secondes sans interruption du vide
• Metrologie intégrée (OTFP) : spectromètre λ 200–1100 nm ; plage d'épaisseur 50 nm – 50 µm
• Porte‑substrats pour lots : jusqu'à 2×12", 3×8", 4×6" ou 8×4" par porte‑substrat (autres sur demande)
• Automatisation : système robotique compatible salle blanche ISO5
• Load locks : double load lock avec deux emplacements verticaux et lift motorisé pour cassettes