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Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 650 V
... Temps de récupération plus court, permettant une commutation rapide. CARACTÉRISTIQUES : Dépendance réduite à la température Possibilité de commutation à grande vitesse Capacité de courant de choc élevé ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 1 200 V
... Perte de commutation réduite, permettant une commutation à grande vitesse (boîtier à 2 broches) ・Temps de récupération plus court ・Réduction de la dépendance à la température ・Commutation à grande vitesse possible ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 600 V
Tension inverse: 600 V
... Les diodes à récupération rapide de ROHM sont ultra-rapides, à faible VF, et adaptées à une augmentation significative de l'efficacité des alimentations à découpage ainsi qu'à une réduction des pertes de commutation. ・Produit en boîtier ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 600 V
Tension inverse: 600 V
... Les diodes à récupération rapide de ROHM sont ultra-rapides, à faible VF, et adaptées à une augmentation significative de l'efficacité des alimentations à découpage ainsi qu'à une réduction des pertes de commutation. ・Produit en boîtier ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 600 V
Tension inverse: 600 V
... Les diodes à récupération rapide de ROHM sont ultra-rapides, à faible VF, et adaptées à une augmentation significative de l'efficacité des alimentations à découpage ainsi qu'à une réduction des pertes de commutation. ・Produit en boîtier ...
ROHM Semiconductor
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