Substrat en oxyde d'aluminium

céramiqueen nitrure d'aluminium

Présentation du produit
Nos substrats en nitrure de silicium (Si₃N₄, SN-90) offrent une conductivité thermique élevée, une résistance mécanique importante et une excellente ténacité à la rupture, assurant des performances stables pour l'électronique de forte puissance et la gestion thermique. Le coefficient de dilatation thermique est proche de celui du silicium et ils présentent une bonne résistance au choc thermique. Les surfaces usinées avec précision et les spécifications personnalisables rendent ces substrats adaptés aux modules IGBT, dissipateurs haute puissance et modules RF avancés.

Caractéristiques

• Conductivité thermique élevée (≥85 W/(m·K) à 25℃)
• Coefficient de dilatation proche des wafers silicium (2–4 ×10⁻⁶ mm/℃, 25–500℃)
• Haute résistance en flexion (≥750 MPa) et dureté Vickers (≥14 GPa)

Applications

• Modules de puissance IGBT haute puissance
• Dissipateurs et spreaders thermiques haute puissance
• Modules sans fil avancés et composants RF

Table des propriétés du matériau
Project | Test conditions | Unit | Si₃N₄ (SN-90)
Material | - | - | Si₃N₄
Appearance | - | - | grey
Surface roughness | Ra | μm | 0.2–0.75
Density | - | g/cm3 | ≥3.2
Physical properties - Bending strength | 3-point bending resistance | MPa | ≥750
Vickers hardness | Load 4.9 | GPa | ≥14
Water absorption | - | % | 0
Thermal performance - Thermal conductivity | 25℃ | W/(m·K) | ≥85
Linear thermal expansion coefficient | 25–500℃ | ×10^-6 mm/℃ | 2–4
Thermal shock resistance | 800℃ | Time | ≥10
Specific heat | - | J/(kg·K) | 680
Electrical properties - Dielectric constant | 1MHz/25℃ | - | 7–8
Dielectric loss | 1MHz/25℃ | ×10^-4 | ≤4
Volume resistivity | 25℃ | Ω·cm | > 10^14
Breakdown voltage | - | kV/mm | > 15

Dimensions et spécifications
Material | Unit | Al₂O₃ | ZTA | AlN | Si₃N₄
Effective dimensions (A, B) | mm | 50.8–190 | 50.8–190 | 50.8–190 | 138 × 190
Thickness (T) | mm | 0.25–1.5 | 0.25–1.5 | 0.25–1.0 | 0.25, 0.32
Thickness tolerance | mm | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm)
Warpage (C) | mm | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.3%
Surface roughness | μm | 0.2–0.6 | 0.2–0.5 | 0.2–0.75 | 0.2–0.75
Note : dimensions, épaisseur et rugosité de surface personnalisables

Usinage

• Découpe et perçage laser
• Rectification et polissage (contrôle de la rugosité)

Tolérances d'usinage et finition de surface
Internal dimension tolerance (Qualified) | ±0.05mm | (Special Grade) ±0.03mm
External dimension tolerance (Qualified) | ±0.15mm | (Special Grade) ±0.1mm
Hole tolerance (φ0.07–0.15mm) (Qualified) | ±0.05mm | (Special Grade) ±0.02mm
Hole tolerance (φ > 0.15mm) (Qualified) | ±0.1mm | (Special Grade) ±0.02mm
Surface roughness (Qualified) - Grinding: 0.3–0.6 μm; Fine grinding: 0.1–0.4 μm; Polishing: ≤0.1 μm
Surface roughness (Special Grade) - Grinding: 0.3–0.5 μm; Fine grinding: 0.1–0.3 μm; Polishing: ≤0.05 μm

Spécifications techniques

• Nom commercial : Silicon Nitride (Si₃N₄) Substrates
• Matériau : Si₃N₄ (SN-90)
• Aspect : gris
• Rugosité de surface : Ra 0.2–0.75 μm (selon procédé)
• Densité : ≥3,2 g/cm³
• Résistance en flexion (3 points) : ≥750 MPa
• Dureté Vickers (charge 4.9) : ≥14 GPa
• Absorption d'eau : 0%
• Conductivité thermique (25℃) : ≥85 W/(m·K)
• Coef. dilatation linéaire (25–500℃) : 2–4 ×10^-6 mm/℃
• Résistance au choc thermique (800℃) : ≥10
• Chaleur spécifique : 680 J/(kg·K)
• Constante diélectrique (1MHz/25℃) : 7–8
• Perte diélectrique (1MHz/25℃) : ≤4 ×10^-4
• Résistivité volumique (25℃) : >10^14 Ω·cm
• Tension de claquage : >15 kV/mm
• Taille typique Si₃N₄ : 138 × 190 mm ; épaisseurs typiques : 0,25 mm, 0,32 mm (autres sur demande)
• Tolérance d'épaisseur : ±5% (Min ±0.03 mm)
• Warpage : ≤0.3%
• Usinage : découpe laser, rectification et polissage ; tolérances disponibles pour dimensions internes/externes et trous