Détecteur à semi-conducteur PVM-2TE-10,6
dynamiqueIRcompact

détecteur à semi-conducteur
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Caractéristiques

Technologie
à semi-conducteur, dynamique, IR
Autres caractéristiques
compact, robuste, à refroidissement thermo-électrique

Description

2.0 - 13,0 µm, refroidissement thermoélectrique à deux étages, jonction multiple Le PVM-2TE-10.6 est un détecteur photovoltaïque IR à jonction multiple à deux étages, refroidi thermoélectriquement, basé sur une hétérostructure HgCdTe sophistiquée pour une performance et une stabilité optimales. Le détecteur est optimisé pour une performance maximale sur λopt = 16.6 μm. Il est particulièrement utile comme détecteur de grande surface active fonctionnant dans une plage spectrale de 2,0 à 13,0 µm. La fenêtre calée de 3° à revêtement anti-reflet en séléniure de zinc (wZnSeAR) empêche les effets d'interférence indésirables. Demandes : - Gamme spectrale de 2,0 à 13,0 µm - Grande surface active de 1×1 mm^2 à 3×3 mm^2 - Refroidissement thermoélectrique à deux étages - Pas de parti pris nécessaire - Pas de bruit en 1/f - Sensible à la polarisation du rayonnement IR Paramètre : PVM-2TE-10,6 Matériel : MCT Tapez : Jonction multiple Immersion : Non-immersion Refroidissement : En deux étapes Longueur d'onde/ λopt/ µm : 10,6 Paquet : TO8, TO66 Fenêtre : calée, revêtue de ZnSe AR Détectivité/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1 : ≥1,0x108 Constante de temps/ τ/ ns : ≤3

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Catalogues

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Détecteurs photovoltaïques

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.