Détecteur à semi-conducteur PV-4TE-5

IRcompactrobuste

PV-4TE 2-12 μm DETECTEURS PHOTOVOLTAÏQUES IR THERMOELECTRICALEMENT REFROIDIS La série de photodétecteurs PV-4TE-λopt (λopt - longueur d'onde optimale en micromètres) comprend un détecteur photovoltaïque IR sur un refroidisseur thermoélectrique à quatre étages. Les appareils sont optimisés pour une performance maximale sur λopt. La longueur d'onde de coupure peut être optimisée sur demande. La polarisation inverse peut augmenter considérablement la vitesse de réponse et la gamme dynamique. Il en résulte également une amélioration des performances aux hautes fréquences, mais le bruit en 1/f qui apparaît dans les dispositifs polarisés peut réduire les performances aux basses fréquences. Les performances et la stabilité les plus élevées sont obtenues par l'application d'un semi-conducteur HgCdTe à gap variable, un dopage optimisé et un traitement de surface sophistiqué. Des dispositifs personnalisés avec des cellules de quadrant, des réseaux multi-éléments, différentes fenêtres, des lentilles et des filtres optiques sont disponibles sur demande. Les détecteurs standard sont disponibles en boîtiers TO8 avec des fenêtres wAl2O3 ou wZnSeAR. D'autres boîtiers, fenêtres et connecteurs sont également disponibles. Caractéristiques : - Haute performance dans le domaine spectral 2,4 - 5,3 µm - Refroidissement thermoélectrique à quatre étages - Pas de parti pris nécessaire - Pas de bruit en 1/f Paramètre : PV-4TE-5 Matériel : MCT Tapez : Photovoltaïque Immersion : Non-immersion Refroidissement : Quatre étapes Longueur d'onde/λoptµm : 5 Paquet : TO8, TO66 Fenêtre : Al2O3 calé Détectivité/ D∗/ m⋅Hz1/2⋅W-1 : ≥1,5x1010 Constante de temps/ τ /ns : ≤80