Vue d'ensembleTDK Electronics propose une large gamme de selfs d'alimentation : selfs EMI, selfs compensées en courant, filtres de ligne et selfs en mode commun / différentiel pour réseaux monophasés et triphasés. Le portefeuille couvre plusieurs topologies de noyau (annulaire, D‑core, noyau cadre, E‑core, U‑core, I‑core) ainsi que des variantes SMD pour répondre aux exigences de courant, inductance et tension.
Types de produits et topologies- Selfs à noyau annulaire compensées en courant (simple / double / triple / quad)
- Selfs D‑core (compensées en courant)
- Selfs à noyau cadre (familles frame / frame core)
- Selfs à noyau annulaire en poudre de fer
- Selfs I‑core et U‑core
- Selfs annulaire SMD (SurfIND)
- Selfs common‑mode haute tension (triphasé / triple)
Séries représentatives et kits d'échantillons (sélection)- Série B82721 (selfs à noyau annulaire) — kit d'échantillons : B82721 Sample Kit
- Série B82722 (selfs à noyau annulaire) — kit d'échantillons : B82722 Sample Kit ; variante haute tension B82722V6*B040
- Série B82723 (selfs à noyau annulaire) — kit d'échantillons : B82723 Sample Kit
- Série B82724 / B82724J2*U / B82724J8*N — selfs annulaires doubles et versions tension étendue
- Série B82725 / B82725S2* — selfs annulaires doubles et selfs annulaires doubles SMD
- Série B82726 (selfs annulaires doubles) — variantes fort courant (ex. B82726S3543, B82726S3223A340)
- Série B82730 (U/core) et B82731 (D/core) — selfs D‑core et I‑core ; kits d'échantillons B82731X0001
- Série B82732 / B82733 / B82734 (familles frame / D / frame) — plusieurs kits d'échantillons disponibles
- Série B82747 / B82748 / B82767 (triples / triphasés) — ex. B82747S4423N021 (3 x 1.5 mH, 42 A)
- Série B82791 (selfs anneau NiZn) — ex. B82791H2*N010 (14 … 100 µH ; 1.5 … 4 A)
Fiches techniques / Documents (sélection)Fiches techniques, documents de kits d'échantillons et notes techniques sont disponibles pour chaque série. Les documents couvrent les fiches famille produit, guides d'application (I‑core, anneau, sinusoïde et selfs compensées), informations qualité et emballage, et consignes de sécurité.
Séries représentatives / caractéristiques (sélection)Design | Inductance (mH) | Courant nominal (A) | Temp. nominale (°C) | Tension nominale (V AC) | Tension nominale (V DC) | Lignes | Type | Code
Self noyau annulaire compensée (triple) | 1.5 | 42 | 70 | 440 | — | — | Triple | B82747S4423N021
Self noyau annulaire double compensée | 3.3 … 22 | 0.85 … 3.0 | 70 | 630 | 1250 (DC) | — | Double | B82722X0003 (sample kit B82722V6*B040)
Selfs D‑core (B82731M) | 3.3 … 100 | 0.35 … 1.8 | 40 | 250 | — | — | Double | B82731H, B82731M
Selfs noyau cadre (B82732F / B82733F) | 10 … 100 | 0.45 … 2.3 | 40 | 300 | 500 (DC) | — | Double | B82732F, B82733F
Selfs annulaire haute intensité (variantes B82726) | 0.12 … 3.3 | 10 … 54 | 70 / 75 / 80 | 70 / 85 | 250 / 300 (DC) | — | Double | série B82726S*
Selfs annulaire NiZn (B82791H2*N010) | 14 … 100 µH | 1.5 … 4 A | 70 | 250 | — | — | Double | B82791H2*N010
Applications / Cas d'utilisation- Réduction des interférences en mode commun dans les réseaux d'alimentation
- Filtrage et suppression EMI pour alimentations, convertisseurs et systèmes triphasés
- Conformité aux exigences de courant de fuite et EMC pour équipements électriques et électroniques
Documentation et supportDocuments techniques généraux, notes d'application et kits d'échantillons facilitent l'évaluation en conception. Des modèles SPICE et documents de référence sont fournis pour certaines séries afin d'assister la simulation et l'intégration.
Caractéristiques techniques- Inductance : ≈ 0.0021 mH jusqu'à 100 mH selon la série
- Courant nominal : <0.3 A jusqu'à >50 A selon topologie/série (valeurs typiques 0.25 A … 54 A)
- Température nominale : généralement +40 °C à +85 °C (ex. +40/+60/+70/+80/+85 °C)
- Tension nominale AC : valeurs courantes 250 V AC ; autres variantes 300 V, 440 V, 480/275 V, 500 V, 600 V, 690 V (triphasé)
- Tension nominale DC : certaines séries jusqu'à 1250 V DC pour versions haute tension
- Nombre de lignes : simple, double, triple, quad (y compris chokes 3‑phase)
- Topologies : anneau (ferrite, NiZn), D‑core, noyau cadre, E‑core, I‑core, U‑core, anneau SMD
- Types : mode commun, différentiel (sine‑wave) et selfs compensées ; variantes haute intensité et haute tension disponibles
- Kits d'échantillons et bibliothèques SPICE/modèles disponibles pour conception et simulation