Wafer en silicium avec oxyde thermique SiO2

6 inch (150 mm)2 inch (50 mm)

OXYDATION THERMIQUE DU WAFER DE SILICIUM La croissance de la couche d'oxyde sur la surface de silicium peut être effectuée par une oxydation sèche ou humide. Durant l'opération, le silicium est rongé et l'interface migre à l'intérieur du substrat. L'oxydation sèche est réalisée à des températures allant de 850 à 1200°C et s'effectue de préférence de manière lente et réguliere. Ce procédé réalisé sur notre site d'Archamps (74) permet d’assurer l’uniformité et la pureté du film fin. Les couches d'oxydations épaisses sont quant à elles réalisées grâce au procédé d’oxydation humide. Cette technique permet une croissance de couche d'oxyde beaucoup plus rapide. Sil'tronix Silicon Technologies propose cette couche mince de dioxyde de silicium (SiO2) pour une épaisseur allant de 20 nm à 300 nm. Nous fournissons des wafers de silicium de 2" à 6" avec : - Oxydation sèche (SiO2) de 20 à 300 nm - Rugosité inférieure à 3 Angströms RMS - Oxydation humide de 50 nm à 2 µm. Nous nous adaptons à tout type de quantité, sous réserve d’un minimum de commande de 25 wafers.