ProductSL-G12N
OverviewLe SL-G12N est une plaquette de silicium de type N de diamètre 210 mm conçue pour la fabrication et la recherche en microélectronique. Cette plaquette convient aux applications nécessitant une résistivité contrôlée et une longue durée de vie des porteurs minoritaires, notamment pour les cellules photovoltaïques, les dispositifs de puissance et le prototypage avancé.
Technical Data- Modèle : SL-G12N
- Type : plaquette de silicium de type N
- Diamètre : 210 mm
- Résistivité : 0,4–1,6 Ω·cm
- Durée de vie des porteurs minoritaires (MCLT) : ≥1000 μs
- Concentration en oxygène : ≤12 ppma
- Concentration en carbone : ≤1 ppma
Handling and packagingLivrée en cassettes ou supports de protection adaptés au transfert en salle blanche. Manipuler en conditions antistatiques (ESD) et éviter toute contamination particulaire. Contrôler visuellement et par métrologie standard avant procédés.
Applications- Substrats pour cellules photovoltaïques
- Dispositifs semi-conducteurs de puissance
- Recherche et prototypage en microélectronique
- Développement de procédés et essais de fiabilité