Wafer en silicium SL-M10P

Nom du produit
SL-M10P

Présentation
Plaquette de silicium de type P de 182 mm conçue pour la fabrication de dispositifs semiconducteurs et le traitement au niveau wafer. Spécifiée pour les applications nécessitant une résistivité et une durée de vie des porteurs minoritaires contrôlées.

Caractéristiques principales

• Type : Plaquette de silicium de type P
• Modèle : SL-M10P
• Diamètre : 182 mm
• Résistivité : 0,4–1,1 Ω·cm
• Durée de vie des porteurs minoritaires (MCLT) : ≥80 μs
• Concentration en oxygène : ≤14,5 ppma
• Concentration en carbone : ≤1 ppma

Propriétés matérielles et électriques

• Substrat en silicium de type P avec plage de résistivité et niveaux d'impuretés maîtrisés
• MCLT ≥80 μs adapté aux procédés sensibles à la recombinaison des porteurs

Applications types

• Production de dispositifs semi-conducteurs (composants de puissance, diodes, processus MOS)
• R&D et production pilote en microélectronique
• Traitement, test et caractérisation des plaquettes

Conditionnement et disponibilité

• Fourni en emballage standard industriel ; conditionnements spécifiques et commandes volume disponibles sur demande
• Contactez le fournisseur pour délais et options de lots

Qualité et conformité

• Fabrication avec contrôle des concentrations d'oxygène et de carbone conformément aux spécifications
• Traçabilité des lots et rapports d'inspection qualité disponibles sur demande