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Wafer en silicium SL-G12N
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Description
Aperçu
Dimensions principales
Propriétés matérielles et électriques
Caractéristiques techniques
- Le SL-G12N est une plaquette de silicium de type N destinée à la fabrication et aux tests de dispositifs semi-conducteurs.
Dimensions principales
- Diamètre : 210 mm
Propriétés matérielles et électriques
- Résistivité : 0,4–1,6 Ω·cm
- Durée de vie des porteurs minoritaires (MCLT) : ≥1000 μs
- Concentration en oxygène : ≤12 ppma
- Concentration en carbone : ≤1 ppma
Caractéristiques techniques
- Modèle : SL-G12N
- Type : plaquette de silicium de type N
- Diamètre : 210 mm
- Résistivité : 0,4–1,6 Ω·cm
- Durée de vie des porteurs minoritaires (MCLT) : ≥1000 μs
- Concentration en oxygène : ≤12 ppma
- Concentration en carbone : ≤1 ppma
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