Microscope infrarouge NIR

pour la recherchepour semi-conducteurproche infrarouge

Vue d'ensemble
Ce microscope NIR est configuré pour l'imagerie proche infrarouge des wafers silicium par le côté arrière. Les démonstrations et les jeux de données mettent l'accent sur la comparaison de longueurs d'onde et les traitements d'image utiles à l'inspection et à la recherche en semi‑conducteurs.

Vidéo d'évaluation
La vidéo d'évaluation présente une chronologie d'imagerie du côté arrière du wafer et des exemples de traitement d'image :

• 0 s : Surface arrière du wafer silicium
• 7 s : Image du motif à 1100 nm
• 16 s : Image du motif à 1100 nm après traitement d'image
• 27 s : Image du motif à 1300 nm
• 38 s : Image du motif à 1550 nm

Images de comparaison
Comparaison côte à côte des images du wafer par le côté arrière acquises à 1100 nm, 1300 nm, 1450 nm et 1550 nm pour illustrer le contraste et la visibilité des détails selon la longueur d'onde.

Images incluses

• Carrousel d'images avec plusieurs diapositives montrant microscope et images de wafer (Slide1 à Slide16)
• Images de comparaison nommées bawah1, bawah2, bawah3 illustrant les motifs du wafer côté arrière

Caractéristiques / Spécifications techniques

• Longueurs d'onde comparées : 1100 nm, 1300 nm, 1450 nm, 1550 nm
• Comprend une démonstration de traitement d'image (exemple à 16 s dans la vidéo d'évaluation)
• Supports visuels : carrousel multi‑diapositives et fichiers de comparaison étiquetés
• Vidéo de démonstration disponible montrant la chronologie et les résultats traités de l'imagerie NIR