MOSFET RVF4N90F/MJ
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Description
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le RVF4N90F/MJ est un transistor à effet de champ MOS de puissance en mode d'amélioration de canal N qui est produit en utilisant la technologie VDMOS de structure F-Cell™ de Rongtec. La cellule à bande plane améliorée et la borne de l'anneau de protection améliorée ont été spécialement conçues pour minimiser la résistance à l'état de marche, fournir des performances de commutation supérieures et résister à des impulsions d'énergie élevée en mode avalanche et commutation.
Ces appareils sont largement utilisés dans les alimentations AC-DC, les convertisseurs DC-DC et les drivers de moteurs PWM en pont H.
CARACTÉRISTIQUES
♦Low portail payant
♦Low Crss
♦Fast Commutation
♦Improved dv/dtcapability
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Catalogues
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Mosfet power semi conductors
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.