MOSFET RTV10180NT(D)
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Description
DESCRIPTION
Le RVT10180NT/D est un transistor à effet de champ MOS de puissance en mode d'amélioration de canal N qui est produit en utilisant la technologie RongteLVMOS. La structure améliorée du processus et de la cellule a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l'état de fonctionnement et fournir des performances de commutation supérieures.
Cet appareil est largement utilisé dans les domaines de l'alimentation sans coupure et de la gestion de l'alimentation des systèmes onduleurs.
CARACTÉRISTIQUES
♦Low portail payant
♦Low Crss
♦Fast Commutation
♦Improved Capacité dv/dt
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Catalogues
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Mosfet power semi conductors
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.