- Électricité - Électronique
- Composant Électronique
- Photodiode InGaAs
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Photodiode InGaAs XSJ20R-453E-PFavalanche
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Caractéristiques
- Spécifications
- InGaAs, avalanche
Description
1. Photodétecteur à avalanche InGaAs/InP à haute réponse,
2. Sensibilité élevée pour les photons uniques
3. Gain élevé et faible bruit
4. Gamme de longueurs d'onde de 950nm à 1650nm,
5. boîtier coaxial en fibre monomode 49/125/250um.
Applications
1. Radar laser et télémétrie laser
2. Communication optique
3. Mesure de la fluorescence
4. Analyse environnementale
5. Équipements biomédicaux
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Catalogues
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