Matrice de photodiodes XSJ-10-MA-100-KB2

Description Cette puce de photodiode PIN de surveillance InGaAs/InP 1X2 Array avec une grande zone active, qui est une structure planaire avec l'anode et la cathode sur le dessus, la surface incidente sur le dos. Avec la taille de la zone active éclairée par le bas est Φ100μm, et une haute réactivité dans la région de longueur d'onde de 980nm à 1620nm.Principalement application dans la surveillance de la puissance optique. Caractéristiques Structure planaire sur substrat SI InP. Illumination par le bas : Zone active de Φ100μm. matrice 1X2, pas de la matrice : 500μm. Haute responsabilité. Faible courant d'obscurité. Anode et cathode sur le dessus, liaison filaire sur le devant. -plage de fonctionnement de 40℃ à 85℃. Excellente fiabilité : Toutes les puces ont passé les exigences de qualification telles que spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE. test et inspection à 100%. Des dimensions de puce personnalisées sont disponibles. Conforme à la norme RoHS2.0 (2011/65/EU). Applications Surveillance de la puissance optique