Solution pour le Burn-In au niveau du wafer pour les MOS de puissance
Points forts :
WLBI pour les technologies de puissance - Si, SiC, GaN
Compatible avec les wafers de 6, 8 et 12 pouces
Capable de brûler la totalité de la plaquette
Solution économique pour les tests de fiabilité et de cycle de vie
Exploite la technologie standard de prober des wafers
Caractéristiques principales :
Parallélisme : 160 sites à 1600 sites
Tension : jusqu'à 1,2 KV par site
Courant : 2mA par site
Configuration du test :
Test fonctionnel
HTGB
HTRB
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